三星电子于10月14日在首尔COEX举行的‘SEDEX 2026（半导体大战）’展会上展示了多款AI应用领域的主要半导体产品和技术解决方案。 三星电子半导体（DS）部门以‘架构AI系统’为主题，展示了包括下一代技术、云AI、边缘AI、物理AI、半导体集群和共生合作在内的六个展区。 基于内存、逻辑设计、代工和先进封装的综合能力，三星电子多角度介绍了AI半导体解决方案。 在内存领域，展示了高性能的第七代高带宽内存（HBM4E）和内置运算功能的LPDDR-PIM，以及基于3D内存架构的‘zHBM’和用于边缘AI的‘zNAND-O’（以上为模型）。 在代工和系统LSI部门，展示了应用4纳米工艺的HBM4E基础芯片和移动应用处理器‘Exynos 2600’等产品。 新设立的‘半导体集群区’介绍了主要基地和龙仁国家产业园区的建设计划。三星电子计划在龙仁国家产业园区投资约360万亿韩元，预计于2027年开工，2029年10月实现首条生产线投产。约70家材料、零部件、设备及无厂半导体企业将入驻，构建有机的半导体生态系统。 通过‘共生合作区’，展示了资金、技术、人才和教育等多种合作伙伴支持计划及共同成长的成果。自1981年成立‘协成会’以来，三星电子持续推动共生发展，并在2025年度共生发展指数评估中连续14年获得最高等级。 此外，DS部门还将在本月起的两个月内向主要合作伙伴现场提供‘共生咖啡车’，并于12月举行‘电影日’等‘DS Together’活动。

三星电子于12日（当地时间）作为最高级别的钻石赞助商参加了'OCP全球峰会2026'，发布了提升人工智能（AI）基础设施性能的下一代内存和存储技术战略及全球合作成果。 据业界消息，三星电子在此次活动中提出了三大技术方向：△第8代高带宽内存（HBM5）及定制HBM等高性能内存 △基于CXL的内存扩展技术 △利用下一代SSD的数据存储和管理技术。 心浩俊常务在主题演讲中介绍了以速度、内存扩展性和数据持久性为核心的技术战略。他强调：“为了应对日益庞大的AI模型和推理数据的增加，内存带宽的扩展、容量的保障和数据管理技术至关重要。” 同时，三星电子还展示了与全球企业的技术合作成果。三星电子与AMD共同演示了基于CXL的内存扩展解决方案，提出通过CMM-D基础的内存池技术灵活扩展AI系统的内存容量。 在展会现场，还设有两个专门区域，供参观者体验下一代内存技术。展出内容包括HBM4E、HBM5概念模型、LPDDR5X-PIM等高性能、低功耗内存，以及2纳米GAA晶圆、Grok LPU晶圆、NVIDIA Grok3 LPX系统等，全面展示了三星电子在晶圆代工和封装方面的综合技术实力。 根据市场调研机构的数据，三星电子在2023年第二季度的全球DRAM市场份额为39%（Counterpoint Research），NAND闪存市场份额为29.3%（TrendForce），均位居第一。 另一家市场调研公司Omdia预测：“今年三星电子的DRAM和NAND晶圆生产量将达到行业最高水平。”

三星电子近日公布了下一代人工智能（AI）内存——高带宽内存（HBM）的核心工艺路线图。计划在下一代HBM5中采用基于D1c工艺的核心芯片和基于2纳米的基础芯片，而HBM5E则将应用D1d工艺和2纳米工艺。 在美国加利福尼亚州圣荷西举行的“GTC 2026”大会上，三星电子内存事业部开发负责人黄相俊副总裁与记者交流时表示：“HBM5和HBM5E都采用核心芯片和基础芯片结构。” 黄副总裁进一步解释道：“HBM5的核心芯片采用D1c工艺，基础芯片则使用2纳米工艺。”他还表示：“HBM5E将应用基于D1d工艺的核心芯片和2纳米工艺的基础芯片。” HBM是通过将多个内存芯片垂直堆叠以实现高带宽的AI半导体核心部件。自最近几代起，内存核心芯片与负责运算和接口功能的基础芯片分离的结构已被采用。值得一提的是，HBM4E与HBM4一样，采用D1c工艺和4纳米工艺。 核心芯片负责存储数据的内存单元，而基础芯片则执行与GPU连接的接口和控制功能。基础芯片因需高性能逻辑而采用了先进的工艺。 此次计划显示了三星电子在下一代HBM中不仅结合内存工艺，还结合了代工技术的战略。特别是HBM5中应用2纳米代工工艺的方案确认，预计三星的先进工艺应用范围将进一步扩大。 三星电子目前正向全球AI半导体企业如英伟达等供应HBM，以增强其在AI内存市场的竞争力。业界普遍认为，下一代HBM的竞争将不仅限于内存工艺，还将扩展到代工技术和封装技术的综合技术竞争。 黄副总裁在GTC现场介绍了三星电子的AI内存战略。他表示：“在AI时代，内存不仅是简单的部件，而是决定系统性能的核心基础设施。” 业界普遍认为，此次路线图的公布是三星电子下一代AI内存战略的重要信号。尤其是同时拥有内存和代工能力的综合半导体（IDM）结构将在HBM竞争力的提升中发挥重要作用。 随着AI数据中心市场的快速增长，HBM的需求也在急剧上升。包括下一代HBM5在内的技术竞争将正式展开，全球内存企业之间的竞争也将更加激烈。

人工智能(AI)半导体的核心部件高带宽内存(HBM)市场的主导权竞争愈发激烈。SK海力士占据市场一半份额，保持领先地位，而三星电子的市场份额迅速扩大，两者之间的差距正在缩小。随着下半年HBM3E向HBM4的世代更替正式启动，预计明年三星电子将在HBM4市场上夺得第一。与此同时，美国美光正在扩大HBM4的生产能力，中国长鑫科技(CXMT)也开始小规模生产HBM3E，HBM市场的竞争格局愈加激烈。根据市场调研机构Counterpoint Research的数据，今年第二季度全球HBM市场中，SK海力士以50%的市场份额保持第一位，但较第一季度的58%下降了8个百分点。三星电子在同一时期的市场份额从21%上升至33%，上涨了12个百分点。因此，SK海力士与三星电子的市场份额差距在一个季度内从37个百分点缩小至17个百分点。美光以18%的市场份额位居第三。随着下半年HBM4的出货量逐步增加，三星电子与SK海力士之间的竞争预计将更加激烈。目前，HBM市场的销售大部分来自第五代HBM3E，但由于英伟达的下一代AI加速器“贝拉·鲁宾”等将搭载第六代HBM4，市场重心也在向HBM4转移。三星电子计划在第三季度将HBM4的销售额扩大至第二季度的三倍以上。SK海力士也完成了HBM4的良率稳定，并开始增产。两家公司还在加快下一代产品HBM4E的开发进度。在HBM3E中，SK海力士所获得的市场优势在HBM4中可能会发生变化。全球投资银行瑞银预计，明年HBM4市场三星电子的市场份额将达到41%，超越SK海力士的39%，成为第一。三星电子的整体HBM出货量预计今年同比增长124%，明年将增长137%。KB证券也预测，三星电子明年将在HBM4市场上以44%的市场份额夺得第一。此外，预计明年三星电子的HBM平均销售价格(ASP)将同比上涨两倍以上。美光也在扩大HBM4的生产能力，以追赶三星电子和SK海力士。业内人士表示，美光预计到今年年底将增加每月最多6万片的HBM生产能力，达到约10万片的规模。与去年每月4万至5万片的水平相比，增加了约两倍。HBM4 12层的生产比例也预计将从年初的20%至30%提高到年底的最大50%。美光在今年第二季度已开始HBM4 12层的量产，HBM4的累计出货销售额已超过10亿美元。中国的追赶也已开始。中国最大的DRAM厂商长鑫科技最近开始小规模生产HBM3E。计划从2027年开始正式量产，最快将在同年向中国的半导体设计公司供货。阿里巴巴的半导体子公司T头和中国AI半导体公司Cambricon已开始评估将CXMT的HBM3E应用于其处理器。长鑫科技原本预计今年将量产HBM3，但其开发速度已加快至更高一级的HBM3E。考虑到三星电子和SK海力士将在2024年开始HBM3E的量产，技术差距大约为三年。然而，长鑫科技的HBM产品在可靠性和速度上被评估低于三星电子、SK海力士和美光的产品。此外，三星电子和SK海力士已经开始扩大HBM4的供应，并着手开发HBM4E，因此在产品世代方面仍然存在差距。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国半导体企业凭借雄厚的资金实力和庞大的内需市场，正在迅速扩大在DRAM和闪存市场的份额。中国最大的DRAM企业长鑫存储（CXMT）已跻身全球第四，而长江存储（YMTC）则首次进入闪存市场前三名。三星电子和SK海力士则通过高带宽内存（HBM）等高附加值人工智能（AI）内存来应对中国的市场攻势。根据市场调研机构Omdia的数据，YMTC的闪存晶圆产量预计将从今年的201万片增至明年的249万6000片，增长约24%。YMTC在今年第二季度的出货量已跃升至全球闪存市场第三位，并计划在年底启动武汉三厂的运营，目标是到明年年底成为全球闪存市场的第一。相比之下，国内企业的闪存产量预计将基本停滞。三星电子的产量预计将从今年的477万片增至明年的484万5000片，SK海力士的产量则从279万片增至286万5000片，增幅较小。在三星电子和SK海力士集中投资于盈利能力较高的DRAM和HBM的同时，中国企业则通过积极扩张来填补闪存市场的空白。在DRAM市场，CXMT正在迅速追赶。Omdia的数据显示，CXMT的全球DRAM市场份额从去年第四季度的4.7%上升至今年第一季度的7.6%，在短短一个季度内增加了2.9个百分点，现已成为全球第四。CXMT还通过最近的首次公开募股（IPO）筹集了最多达14万亿韩元的资金，计划用于生产线升级和下一代DRAM的研发。预计其目前每月20万至30万片的生产能力将在长期内扩大至60万片以上。如果按计划进行扩张，通用DRAM市场的供应增加将不可避免地对价格造成压力。然而，在HBM等AI内存领域，国内企业与中国企业之间的技术差距仍然相当明显。三星电子和SK海力士已开始量产HBM4，并推动下一代HBM4E的开发和客户供应。相比之下，CXMT目前正处于HBM3系列生产稳定化的阶段。HBM不仅需要良率和堆叠、热管理技术，还要求全球大型科技公司的质量认证和大规模生产经验，因此中国企业在短期内缩小差距并不容易。三星电子和SK海力士正在扩大HBM、服务器用DRAM和企业级固态硬盘（SSD）等高附加值产品的比例，而不是在与中国企业的通用产品上进行价格竞争。随着对AI数据中心投资的增加，高性能、高容量内存的需求急剧上升，三星和SK海力士希望通过AI内存技术和全球大型科技客户基础来确保盈利能力。值得注意的是，中国在通用内存市场的强势地位可能为其追赶高端内存提供了基础。依托庞大的内需市场，获得生产规模和成本竞争力后，积累的资金和量产经验可以再投资于HBM、服务器用DRAM等高附加值产品。例如，最近通过IPO获得大规模资金的CXMT预计到2028年将满足中国DRAM需求的50%和HBM需求的40%。YMTC也在推进规模达6.8万亿韩元的IPO，筹集的资金将用于生产设施的升级和研发。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士在全球客户合作中，全面展示了用于人工智能（AI）数据中心的内存产品系列。除了高带宽内存（HBM），还扩展了服务器用DRAM和企业用固态硬盘（SSD）的产品组合，突显了在AI基础设施市场的内存供应能力。 SK海力士于25日在首尔江南区的COEX参加了“德尔科技论坛2026”，并于26日宣布公开了包括HBM4和HBM4E在内的AI内存产品。在此次活动中，展示了HBM4晶圆实物、服务器用DRAM的SOCAMM 2和3D堆叠内存模块等。 企业用SSD也进行了展出，包括支持液冷的产品和高容量、低功耗的产品，以及公司首款基于四层单元（QLC）的企业用SSD。这些产品旨在满足AI数据中心日益增长的计算量及数据存储和处理需求。 特别值得一提的是，SK海力士在此次论坛上首次以德尔合作伙伴代表身份发表了主题演讲。系统架构副总裁朱永表介绍了AI时代内存技术的角色及下一代技术方向。 SK海力士自今年第二季度开始向主要客户量产供应HBM4，目前正在扩大生产能力。HBM4E已向主要客户供应了12层产品样本，正在为明年的量产做准备。 业内人士认为，随着AI基础设施竞争不仅限于GPU性能，还扩展到包括内存和存储设备在内的整个系统优化，内存厂商与服务器厂商之间的合作重要性将进一步增强。 SK海力士相关人士表示：“我们巩固了与德尔的合作关系，展示了作为全栈AI内存企业的技术实力，并将扩大与全球大型科技公司的战略合作。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

英伟达计划在其下一代人工智能（AI）半导体“鲁宾超大”中减少内存容量，但预计明年整体高带宽内存（HBM）的需求将超出预期。虽然每个芯片中使用的HBM数量减少，但英伟达能够提供更多产品，从而可能导致整体HBM使用量增加。 瑞银分析师蒂莫西·阿尔库里在10日的报告中表示：“英伟达似乎正在推进鲁宾超大的规格降低（‘去规格化’）。” 阿尔库里指出：“尽管每个芯片的HBM搭载量可能会减少，但整个供应链中流通的芯片数量可能会增加。”他分析称：“到2027年，整体HBM使用量有可能超过之前的预期。” 瑞银还提高了对HBM价格的预期。瑞银表示：“HBM4和下一代HBM4E的供应预计将比预期更加紧张。”并指出：“内存厂商正在以更高的价格出售HBM。”因此，HBM的平均售价上涨幅度的预期从去年的67%上调至79%。 此前，美国信息技术（IT）专业媒体《信息》报道，英伟达正在测试多款内存容量低于原计划的鲁宾超大原型产品。部分产品的内存容量被降低至192GB或256GB，或考虑使用HBM4而非HBM4E。 英伟达考虑减少内存容量的背景是对HBM供应不足的担忧。为了应对鲁宾超大发布时可能无法获得足够的HBM4E，英伟达正在测试多种规格。最终规格尚未确定。 根据瑞银的预测，鲁宾超大减少HBM搭载量对SK海力士、三星电子和美光等内存厂商的负面影响可能并不大。尽管每个产品的HBM使用量减少，但AI半导体的出货量和HBM价格可能会同时上涨。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

英伟达正在考虑减少其下一代人工智能（AI）芯片‘鲁宾超’的内存容量，以应对高带宽内存（HBM）供应短缺的问题。 据美国信息技术专业媒体《信息时报》6日报道，英伟达最近几周测试了至少三种不同内存容量的鲁宾超原型机，引用了三位消息人士的话。 部分原型机配备了每个图形处理器（GPU）192吉字节（GB）的HBM，其他产品则配备了256GB。还有一些原型机使用了比原计划的下一代HBM（HBM4E）更早期的产品HBM4。 英伟达测试多种规格是为了应对鲁宾超发布时可能无法获得足够的HBM4E。随着AI半导体对HBM的需求激增，内存供应短缺开始影响下一代GPU的设计。 英伟达去年公布了鲁宾超的计划，预计每个GPU将配备约256GB的HBM4E，总容量可达1TB。此次测试的192GB产品比原计划的内存容量减少了25%。 考虑到目前生产的‘维拉·鲁宾’每个GPU最大可搭载288GB的HBM4，鲁宾超测试产品的内存容量比现有产品少了11%至33%。 内存容量的减少可能会导致处理大型AI模型时性能下降，但也可能降低产品价格。一些英伟达客户表示，“低容量产品可能有助于降低成本”。 AI技术研究机构Epoch AI分析称，“在先进的AI芯片制造成本中，HBM占据了超过一半的比例”。HBM的供应量和价格已成为影响AI芯片性能和销售价格的关键变量。 英伟达也在积极确保HBM的供应。上个月，英伟达与SK集团宣布了大规模的AI合作计划，并与SK海力士推动HBM4、HBM4E等下一代内存的开发和供应扩展。SK海力士也计划在未来五年内将内存生产能力提高一倍。 鲁宾超的最终内存容量和销售价格尚未确定。英伟达预计将在明年下半年出货前，根据HBM4E的供应情况、成本和客户需求等因素调整规格。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子公开了在人工智能加速器上直接堆叠高带宽内存（HBM）的下一代三维内存结构。这一新结构突破了传统HBM的水平布局方式，旨在减少数据移动距离和电力消耗，同时提供AI半导体的设计、生产和封装一体化解决方案。 三星电子在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“FMS 2026”展会上首次展示了下一代3D内存“zHBM”和“zNAND-O”的样品，并发布了堆叠超过400层的第10代V NAND“V10 BV-NAND”。 zHBM采用了将内存垂直堆叠在加速器上方的新方式，旨在缩短运算设备与内存之间的数据移动距离，从而提高带宽和电力效率。 根据三星电子的说法，基于zHBM的系统性能可比HBM5提高最多8倍，电力效率提升可达3倍，热阻预计降低至一半以下。 在加速器与内存之间，将应用定制功能的中间层，以便根据客户开发的AI处理器调整内存容量、运算功能和数据处理结构。 不过，此次发布的产品为样品，并非实际量产产品。未来将通过与客户的共同设计和热管理技术验证，确定商业化时间表。 在NAND闪存方面，三星电子也扩大了垂直堆叠的范围。zNAND-O结合了V NAND技术和硅通孔电极，将NAND芯片打包为4层或8层，预计将在智能手机和PC等设备中提高数据加载速度和空间效率。 三星电子还发布了400层以上的V10 BV-NAND。该技术采用了将单元和周边电路分开后，垂直结合晶圆的键合技术，以及连接三个单元结构的堆叠方式。 通过这一技术，三星电子表示在相同面积上可存储的数据量比上一代提高了约58%。同时，读取、写入和输入输出性能也得到了改善，计划应对AI数据中心的高容量存储市场。 东芝在6月也公布了400层以上的第10代BiCS闪存开发计划，预计NAND竞争将朝着降低集成度、功耗和生产成本的方向发展，而不仅仅是堆叠层数的竞争。 在此次展会上，三星电子还展示了HBM4E、HBM5以及在内存内部执行部分运算的LPDDR5X-PIM。同时，通过企业级SSD PM1763和超高容量产品BM1773，满足AI学习和推理所需的存储需求。 此次技术发布被解读为三星电子在内存产品性能竞争之外，拓展半导体系统结构设计的业务范围。随着AI加速器与内存结合的加强，代工、逻辑设计和先进封装能力在市场竞争中的影响也将日益增加。 三星电子计划利用其在内存、系统半导体设计、代工和封装方面的综合业务结构，从产品设计阶段到量产全程支持客户。要使下一代3D内存实际应用于客户产品，稳定管理良率、发热和封装成本将是关键。

人工智能（AI）热潮推动全球半导体需求持续旺盛，三星电子业绩连续三个季度刷新历史纪录。但终端产品不堪成本上涨的影响，公司成立以来首次录得亏损。 三星电子30日发布业绩公告显示，公司第二季度实现营业利润89.4924万亿韩元（约合人民币4185亿元），同比大增1813.8%。销售额为171.4995万亿韩元，同比增长130%，净利润为71.6245万亿韩元，同比增长1299.9%，销售额和营业利润连续三个季度创下历史新高。 负责芯片业务的DS部门成为三星业绩持续增长的最大支柱，二季度分别实现销售额127.5万亿韩元和营业利润89.2万亿韩元。随着代理式人工智能（Agentic AI）快速发展，服务器存储芯片需求持续旺盛，存储业务实现历史最佳季度业绩。三星不断扩大新一代高带宽存储器（HBM4）的供应，并率先向客户提供样品，进一步巩固技术竞争优势。 系统LSI业务虽然面临整体市场需求放缓，但受益于系统级芯片（SoC）及图像传感器销售增长，上半年销售额创下历史新高。 晶圆代工业务也因HBM基底芯片以及北美主要客户订单增加，实现业绩改善。 与半导体业务形成对比的是三星终端产品业务，负责终端业务的DX部门二季度销售额为48万亿韩元，营业亏损达8000亿韩元。 负责智能手机业务的MX部门虽然依靠Galaxy S26系列旗舰手机及Galaxy A系列产品销售实现增长，但受成本上涨影响，营业利润较去年同期下降。 网络设备业务得益于海外市场需求增长，业绩同比及环比均有所改善。视觉显示（VD）业务则借助大型国际体育赛事带动电视需求，并推出AI电视等新品，实现销售额和盈利能力同步提升。生活家电业务受空调销售旺季推动，营业收入较上一季度增长，但由于成本压力扩大，盈利水平有所下滑。 旗下汽车电子公司哈曼表现稳健，凭借汽车电子业务扩张及便携式音频产品热销，实现销售额4.6万亿韩元、营业利润4000亿韩元。 显示器业务方面实现销售额7.5万亿韩元和营业利润7000亿韩元。中小尺寸OLED面板受高端智能手机需求带动，业绩继续改善。大尺寸显示业务则受益于电竞显示器市场扩张，销量及销售额均实现增长。 展望下半年，预计全球AI应用持续普及将进一步带动半导体市场需求，三星电子整体业绩仍有望保持增长。DS事业部将继续扩大HBM4、HBM4E、高性能DDR5、SOCAMM2及企业级固态硬盘（eSSD）等AI核心产品销售，进一步巩固市场领先地位。 晶圆代工业务计划启动第二代2纳米移动芯片量产，同时积极争取AI和高性能计算（HPC）客户订单，为未来增长奠定基础。 针对经营压力较大的DX事业部，三星表示，在全球经济不确定性加剧及零部件成本持续上涨背景下，公司将同步推进业务竞争力提升和经营体质改善。