SK海力士计划在2028年将ASML的下一代光刻设备“高NA极紫外光（EUV）”引入D램量产工艺。这一战略旨在突破微细工艺的限制，提高下一代D램的性能和成本竞争力。

据路透社等媒体报道，SK海力士表示，目标是在2028年将高NA EUV工艺应用于D램量产。此外，SK海力士还在考虑参与由台积电主导的“大型掩模联盟”。

高NA EUV是一种能够实现比现有EUV设备更精细电路的下一代光刻技术。其数值孔径（NA）从现有EUV的0.33提升至0.55。这使得可以一次性形成更精细的图案，从而减少工艺步骤，同时提高半导体的性能和生产效率。

自2021年首次在10纳米级4代（1a）D램量产中应用EUV以来，SK海力士已逐步扩大其在先进D램中的应用范围。引入高NA EUV后，SK海力士计划简化现有EUV工艺，并加快下一代内存的开发速度。

SK海力士还将参与改变半导体光刻工艺标准的行动。该公司正在考虑参与将现有6英寸光掩模扩大至12英寸的联盟。光掩模是将半导体电路图案转移到晶圆上的原版，扩大其尺寸将提高下一代光刻工艺的生产效率和效能。

该联盟包括ASML等全球半导体企业，三星电子也已加入。如果SK海力士参与其中，全球半导体行业围绕下一代EUV设备和大型光掩模的技术标准竞争将进一步加剧。