SK海力士宣布已向主要客户供应下一代AI超高性能DRAM新产品——第七代高带宽内存（HBM4E）12层样品。

SK海力士表示：“我们能够向客户展示HBM4E 12层样品，得益于我们在HBM前沿开发能力和生产经验的积累。”并强调：“我们将与核心客户紧密合作，确保及时量产。”

此次样品供应的开始，预计将进一步巩固SK海力士在面向英伟达的下一代AI内存市场中的独占地位。

新产品在性能和能效方面均较前代HBM4有了显著提升。其每引脚最大数据处理速度达到16Gbps，能效提升超过20%，大幅提高了人工智能（AI）学习和推理所需的数据处理性能。

此外，HBM4E通过最新的接口和设计优化，减少了数据传输延迟，并在高带宽环境下实现了稳定运行。公司预计，这将进一步提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。

特别是HBM4E采用了先进的MR-MUF工艺，实现了12层堆叠的48GB容量，同时提高了结构稳定性。与HBM4相比，其热阻降低了约17%，确保内存在高性能计算环境下的稳定运行。

SK海力士开发总裁安贤



※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

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