三星电子于3月16日在美国圣何塞举行的英伟达GTC 2026大会上，展示了其下一代HBM4E技术和用于英伟达下一代图形加速器Vera Rubin平台的全方位内存解决方案。

据业内消息，三星电子在展会上通过专用展位的“HBM4英雄墙”和“英伟达画廊”展示了其在内存、逻辑、代工和先进封装技术方面的优势，强调其作为综合半导体企业的独特竞争力。

特别是，三星电子与英伟达的战略合作伙伴关系已从简单的技术合作扩展到整个AI基础设施。


三星电子首次展示了基于1c DRAM工艺和4纳米代工的HBM4E芯片和核心晶圆。HBM4E支持每针16Gbps的速度和4TB/s的带宽，通过应用HCB（混合铜键合）技术，热阻改善超过20%，实现了16层以上的高堆叠。

此外，三星电子是全球唯一能够为Vera Rubin平台提供所有内存解决方案的公司，展示了用于Rubin GPU的HBM4、Vera CPU的SOCAMM2和PM1763存储器，强调了与英伟达的合作。


SOCAMM2是基于服务器LPDDR的内存模块，已完成质量验证，PM1763 SSD基于PCIe Gen6，能够在现场直接演示AI工作负载性能。为了提高推理性能和电力效率，三星电子为CMX（上下文内存扩展）平台提供了基于PCIe Gen5的SSD PM1753，增强了AI系统的扩展性。

展位分为“AI工厂（AI Factories, AI Data Center）”、“本地AI（Local AI, On-device AI）”、“物理AI（Physical AI）”三个区域，正式介绍了下一代三星内存架构GDDR7、LPDDR6、PM9E1等，让观众体验三星内存解决方案在AI基础设施中的性能和扩展性。

活动第二天，三星电子AI中心负责人宋用浩将在英伟达特别邀请的演讲中，展示三星在AI基础设施创新中的内存全方位解决方案的角色和愿景。通过此次展示和演讲，双方明确表达了共同引领全球AI基础设施范式转变的决心。



※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

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