随着人工智能（AI）需求的扩大，全球内存半导体行业正经历前所未有的繁荣。主要厂商的利润率超过70%，而在繁荣中获得的资金又迅速投入到大规模的设备投资中。三星电子和SK海力士在国内生产基地建设上加快了步伐，而中国厂商也开始扩张，预计内存市场的竞争将更加激烈。

根据《日本经济新闻》11日的报道，全球六大主要内存厂商的业绩在息税前利润（EBIT）标准下进行比较，4月至6月的利润率均超过70%。其中，中国的长鑫存储科技（CXMT）以82%位居第一，美光为80%（3月至5月），闪迪为78%，SK海力士为76%，东芝为74%，三星电子半导体业务为70%。

高利润率源于AI引发的内存供应短缺。三星电子、SK海力士和美光将有限的生产能力优先分配给高带宽内存（HBM）和服务器用高附加值DRAM，导致用于PC和智能手机等的通用DRAM供应减少。此外，AI服务器的扩张也推动了对高容量DDR5的需求，价格上涨趋势扩展至所有内存产品。市场研究机构TrendForce指出，今年第二季度全球DRAM销售额达到1547.3亿美元，比上一季度增长59.5%。

在繁荣中获得的资金再次投入到设备投资中。三星电子在今年上半年就执行了28.1万亿韩元的设备投资（CAPEX）。预计平泽校园P4将在年内全面投入使用，继4月开工的P5工厂1后，P5工厂2的建设进度也在加快。位于龙仁的国家产业园区投资也在加速，三星电子计划将该地区6座工厂中的第一座的投产时间从原定的2030年至2031年提前至2029年。

SK海力士也在加快龙仁半导体集群的投资进度。原定到2045年逐步建设的4座工厂的完工目标提前至2033年，计划在龙仁二期工厂（Y2）投资35.2万亿韩元，在清州的NAND生产基地M17投资19.1万亿韩元，总计增加54.3万亿韩元的投入。

在国内厂商投资扩大之际，中国的追赶也在加速。中国的DRAM厂商正以通用产品为中心扩大生产能力，逐步在三星电子、SK海力士和美光主导的市场中占据一席之地。中国最大的DRAM厂商CXMT目前有3座DRAM工厂，计划未来扩展至6座。

因此，CXMT目前每月30万片的晶圆生产能力预计到2030年将超过60万片，翻倍增长。全球DRAM市场份额预计将从去年的8%提升至2028年的11%和2030年的15%。如果中国厂商获得两位数的市场份额，现有的内存三巨头市场格局将面临变化。

厂商们的持续扩张也被视为未来内存行业的变数。目前，AI需求的增加与供应短缺相互交织，保持着高利润率，但在新生产能力正式投入使用之前，需求的增长能否持续仍是关键。特别是如果包括中国在内的全球厂商的生产能力同时增加，供应短缺可能会迅速缓解。

市场研究机构Counterpoint Research表示：“根据韩国政府主导的重大项目，三星电子和SK海力士的DRAM生产能力预计将翻倍，但目标时间为2031年。”同时指出：“制造商们正将当前的高营业利润集中投入到先进技术开发和工厂扩建中，并通过长期供应合同（LTA）为未来的下行周期做好准备。”