三星电子副总裁李振燮、HK Inno.N副总裁宋根锡、SK海力士副总裁张志恩获得了科学技术勋章。
科学技术信息通信部（科技正通部）表示，7日在首尔汝矣岛费尔蒙特大使馆酒店举行了以科学技术为中心的韩国大跃进的“2026技术开发日”纪念仪式，并颁发了科学技术勋章。
出席纪念仪式的有韩成淑总理、宋基贤科学技术信息广播通信委员会主席、崔亨斗国会议员、具赫采科技正通部第一次官、具子均韩国工业技术振兴协会会长等。
当天，政府对在民间研发和技术管理方面做出贡献的55项政府表彰、35项副总理表彰、11项优秀研究者奖（韩国工业技术振兴协会会长奖）进行了颁奖。
技术开发日的贡献奖项是颁发给在国家产业发展和技术竞争力提升方面长期奉献的企业研究者和企业。
其中，科学技术勋章共颁发3项，科学技术创新奖授予了三星电子副总裁李振燮、SK海力士副总裁张志恩、HK Inno.N副总裁宋根锡。
李副总裁因其在全球首次量产1Gb NAND闪存和开发垂直堆叠NAND闪存方面的贡献获得了科学技术创新奖（2级）。
科学技术雄飞奖（3级）则授予了克服了现有胃肠疾病治疗药物在餐前服用和药效延迟方面局限性的宋副总裁。
开发超大容量服务器DRAM内存和低功耗、高带宽运行的小型移动内存的张副总裁也获得了科学技术雄飞奖。
科学技术表彰共颁发4项，分别由韩国航空宇宙工业飞行控制法则团队长高基玉、POSCO研究员柳振浩、LS电气全球产品开发研究团长朴宇镇、三星重工环保研究中心长李浩基获得。
总统表彰由安炳云Park Systems公司研究所长等13人获得，团体方面则选定了C&N等7家公司。
在总理表彰的个人方面，许善雅Hyper Neurotech公司代表等20人获得表彰，团体方面则选定了A-Tech等8家公司。
在企业研究技术振兴贡献方面，个人部分有朴泰著Jostem副总裁等25人获得表彰，团体方面则有SNC Lab等10家公司获奖。
优秀研究者奖是颁发给在企业附属研究所成功执行研发项目并成长为下一代F&D领导者的优秀研究人才，共颁发11项韩国工业技术振兴协会会长奖。
韩成淑总理表示：“衷心感谢45万名韩国未来的技术开发人员，技术开发人员是国家经济的动力。”并补充道：“政府将努力创造一个让技术开发人员不惧失败的环境。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
