三星电子公布了通过三维结构创新突破人工智能（AI）时代内存限制的‘CUBE’战略。该战略不仅仅是提高内存的堆叠高度，还旨在提升容量、数据利用率、带宽以及电力和热效率。三星电子计划扩展产品线，包括HBM5、下一代zHBM以及填补DRAM和NAND之间的zNAND-O，以增强AI内存的主导权。
三星电子在台北举行的‘半导体台湾2026’内存执行峰会上，常务崔长石宣布了这一内存技术战略。CUBE代表容量（Capacity）、优化（Utilization）、带宽（Bandwidth）和效率（Efficiency）。
如何有效利用每一层也变得至关重要。崔常务指出：“3D不仅仅是堆叠，关键在于如何利用每一层。”他表示，三星正在优化逻辑与内存的布局，以消除数据处理延迟。
影响AI运算性能的数据移动速度也是CUBE战略的一个重要方面。崔常务表示：“通过大幅缩短芯片之间的距离，可以形成垂直高速通道，从而显著改善带宽。”这意味着通过垂直连接芯片来缩短数据移动距离，提高处理能力。
电力和发热也是需要解决的课题。随着AI系统运算量的增加，移动数据所需的电力也在增加。崔常务指出：“3D的最终目标是减少移动单比特数据所需的能量，提升结构效率，以最大化每瓦特的性能。”
三星电子计划将这一战略应用于下一代HBM产品。目前正在开发的HBM5目标是将性能提高至HBM4E的两倍，瓦特性能提升20%，热阻降低20%。
三星电子还在开发针对HBM之后的zHBM，目标是将性能提高至HBM4E的8倍，瓦特性能提高3倍，热阻降低75%至90%。随着AI加速器的运算性能迅速提升，内存也必须在带宽、电力和发热方面进行改进。
针对DRAM和NAND之间的性能和容量差距，三星电子还准备了zNAND-O。zNAND-O的目标是将比特密度提高10倍，以容纳大规模语言模型（LLM）所需的大容量数据，同时在读取带宽和电力效率上提高7倍。三星电子计划在2028年开始提供样品。
三星电子在开发下一代产品的同时，也将其在现有内存市场中获得的生产基础视为AI内存竞争的优势。根据Counterpoint Research的数据，三星电子在2023年第二季度全球DRAM市场的销售额占比为39%，位居第一，SK海力士为26%，美光为25%。
在NAND市场上，三星电子同样保持第一。根据TrendForce的数据，三星电子第二季度NAND市场占有率为29.3%。随着AI服务器用企业级固态硬盘（SSD）销售的增加，销售额较上季度增长了70.7%。
生产能力也处于行业最高水平。Omdia预计，三星电子在2023年的DRAM生产能力将达到300mm晶圆约817.5万片。三星电子计划在通用DRAM和NAND的生产基础上，结合HBM、企业级SSD以及下一代3D内存，进一步扩大AI内存市场的产品组合。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
