SK海力士驳斥了关于人工智能（AI）投资放缓的担忧，认为高带宽内存（HBM）等AI内存需求，以及普通DRAM和NAND都已进入结构性增长阶段。预计AI内存超级周期将比预期更为长期。为此，SK海力士计划扩大HBM4的量产，并推进5年期长期供应合同（LTA），同时扩大生产能力，以巩固其在AI内存领域的领导地位。
在29日举行的2026年第二季度业绩发布电话会议上，SK海力士表示：“AI基础设施投资依然稳健，主要客户甚至要求更多的内存供应。”并指出：“不仅是AI内存，普通内存也在一起经历结构性变化。”
公司预计，今年DRAM需求将增长20%中段，NAND需求将增长10%后段。考虑到先进工艺的难度和生产设施的建设周期，预计供应短缺将持续相当长一段时间。
中长期供应合同也在扩大。SK海力士表示，目前已与包括核心客户在内的10多家企业完成LTA谈判。合同期限通常为5年，涵盖简单的数量供应以及客户的采购协议和预付款等结构。
SK海力士强调：“目前推进的生产能力扩张是基于与客户建立的长期合作伙伴关系所确保的需求。”并指出：“投资和生产扩张将根据客户需求和投资效率逐步进行，因此供应过剩的可能性有限。”
公司重申了对HBM竞争力的信心。SK海力士表示，已从第二季度开始量产HBM4，并计划在下半年大幅扩大生产。下一代产品HBM4E也已向主要客户供应样品，正在以2027年量产为目标进行开发。
SK海力士表示：“HBM的竞争力不仅体现在性能上，还包括良率、质量和稳定的量产能力。”并指出：“HBM4已经具备与上一代产品（HBM3E）相似的量产稳定性，同时也在积极开发解决下一代产品发热问题的iHBM技术。”
针对近期竞争对手的技术追赶，SK海力士表示：“在市场推出时机、产品性能、量产良率、质量和客户信任度等方面，积累的竞争力短期内难以获得。”并强调：“基于与客户的早期共同开发经验和长期合作基础，未来仍能在HBM市场保持领导地位。”
公司还将继续进行符合AI时代的积极投资。SK海力士计划提前M15X的量产时间，并在2027年初启用龙仁1期厂后迅速扩大生产能力。
公司预计今年的设备投资（CAPEX）将在40万亿韩元后半段。这一投资将用于最近宣布的清州先进封装工厂（P&T7）和新的NAND生产基地（M17），以及龙仁之后的新半导体集群建设，以确保中长期增长基础。
关于7月在美国纳斯达克上市的美国存托股票（ADR），SK海力士表示：“这不仅是简单的资金筹集，而是全球市场对我们技术实力和成长性的认可。”并表示：“将以此为契机，发掘新的商业机会。”
目前，公司的净现金已增至69万亿韩元，并预告了额外的股东回报政策。SK海力士表示：“我们将AI时代的增长投资、财务稳健和股东回报作为资本配置的原则。”并承诺：“在ADR相关的监管程序完成后，将在年内与市场分享额外的股东回报方案。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
