郭诺正SK海力士首席执行官（CEO）在10日（当地时间）美国纽约纳斯达克市场网站举行的纳斯达克‘开盘铃’活动中展示上市纪念牌。 [照片=联合新闻]
在全球内存市场短缺现象长期化的预期下，SK海力士将启动包括海外生产基地新增建设在内的全球多元化战略。
据外媒13日报道，郭诺正SK海力士首席执行官（CEO）在10日（当地时间）美国当地采访中表示：“全球需求急剧增加，但半导体制造能力无法跟上。”他警告称：“明年可能面临前所未有的内存供应短缺。”他进一步分析，这种供应短缺的趋势可能会持续到2030年以后。
目前，SK海力士正在仔细评估各地区的商业价值和实际利益。
在国内，以伊川和清州为中心的SK海力士正在全力以赴建设国内大型半导体集群，同时加快海外投资的步伐。该公司正在美国印第安纳州建设高带宽内存（HBM）等先进封装生产线，并在当地人工智能（AI）解决方案领域投入大量资金建立合作伙伴关系。
这笔积极的投资资金是通过最近成功完成的美国纳斯达克市场股票存托凭证（ADR）上市获得的。SK海力士在此次纳斯达克ADR上市过程中成功获得约265亿美元（约合40万亿韩元）的巨额资金。这些资金将集中用于下一代先进工艺的引入和国内外核心生产基础设施的升级。
在上市首日交易中，SK海力士的ADR收盘价为168美元，较发行价149美元上涨约13%，显示出全球投资者的高度期待。
实际上，半导体行业和全球金融界普遍认为，内存供应短缺现象在短期内难以解决。包括英伟达CEO黄仁勋在内的全球投资银行（IB）瑞银等机构预测，受人工智能（AI）热潮影响，未来几年内DRAM供应紧张的局面将持续。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
