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美中日加速半导体扩张竞争,亟需推进重大项目

金那胤 기자 2026-07-06 18:04
三星电子平泽校园半导体生产设施照片
三星电子平泽校园半导体生产设施 [照片=三星电子]


美国美光和中国长鑫存储(CXMT)等全球半导体企业正在加速扩张生产能力,竞争愈演愈烈。以三星电子和SK海力士为主的国内“三大重大项目”推进也迫在眉睫。

据业内消息,美光于前日在日本广岛工厂举行新制造大楼的开工仪式,正式宣布扩大生产线。美光计划在约2万8000平方米(约8470坪)的土地上投资总计14.2万亿韩元用于设备和研发(R&D)。此外,日本经济产业省也决定提供最多5万亿韩元的支持。

新建的制造大楼预计于2028年下半年投入运营,将量产下一代DRAM和第七代高带宽内存(HBM4E)。日本通过拉菲德斯的2纳米工艺开发、台湾TSMC熊本工厂以及美光的最先进基地,完成了下一代半导体供应链的布局。

美光在今年1月还在美国爱达荷州和纽约启动了大规模扩张。尤其是2030年投入运营的纽约工厂是一个总投资153万亿韩元的超大型项目。根据美国半导体法案,美方已确认获得约8.4万亿韩元的补助金和大规模税收优惠。

中国的追赶势头也十分迅猛。长鑫存储(CXMT)上个月提出了“到2030年全球DRAM市场第三”的目标,并预告将在今年下半年于上海进行大规模设备投资。由于仅靠合肥和北京等现有三座工厂难以应对需求增长,长鑫决定加大投资。

CXMT计划通过上海证券市场的首次公开募股(IPO)筹集近6.65万亿韩元的投资资金,预计新生产线投入运营后,CXMT的月产晶圆能力将达到当前的两倍,达到60万片。

国内企业也全力以赴扩充生产设施。三星电子和SK海力士主导的霍南地区半导体重大工厂选址最终确定在光州军机场。这一消息是在政府上个月的“三大重大项目”国民报告会上正式公布新建四座工厂计划后的一周内传出的。不过,目前尚未决定哪家公司将在此落户。

与以往选址到获得许可通常需要5至7年时间相比,此次的快速推进显得尤为突出。政府和业界普遍认为,若在全球供应链重组的速度上落后,将面临被淘汰的风险。此前,SK海力士的龙仁一般工业园区在2019年确定用地后,因地方政府间的矛盾和环境影响评估的反对,直到去年2月才得以动工。

上明大学系统半导体工程系教授李钟焕表示:“政府迅速的选址和行政支持非常鼓舞人心”,同时指出“半导体工厂在选址后,电力和水等核心基础设施必须及时供应,因此未来相关部门与地方政府的协作将是关键。”





※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。

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