SK海力士正在推动美国存托凭证（ADR）上市，同时加速在美国建设首个半导体封装工厂的项目。这一战略旨在提高进入美国资本市场的便利性，并在当地建立生产基础，直接融入人工智能（AI）半导体供应链。

据业内消息，印第安纳州韦斯特拉菲特市的主要官员于本月初访问韩国，与SK海力士的高层管理人员会面，并参观了伊川和清州校园。此次访问的官员包括韦斯特拉菲特市市长艾琳·伊斯特、消防局局长杰夫·尼德和消防检查副局长托尼·舒特等。

他们亲自考察了SK海力士的内存生产线和先进的封装设施，重点检查了未来在美国建设的工厂的运营体系、安全管理系统和应急响应程序。这是为了消除居民对韦斯特拉菲特后工序工厂的担忧，确认韩国现有业务场所的实际运营案例。

韦斯特拉菲特市目前正在进行SK海力士工厂的许可程序。SK海力士于2024年宣布，将投资约387亿美元（约合5.9万亿韩元）在印第安纳州韦斯特拉菲特建设内存封装生产基地。该工厂的选址已于去年确定，目标投产时间为2028年下半年。

该工厂将是SK海力士在美国的首个半导体封装生产基地，主要进行人工智能半导体核心部件HBM的先进封装工艺。这意味着在美国直接进行HBM生产后工序，将增强美国的AI半导体供应链。特别是通过缩短与英伟达等核心客户的物理距离，预计将进一步巩固其在全球AI半导体市场的独占地位。

然而，项目推进并不顺利。一些居民对工厂附近居住区的安全性和健康权利受到侵害表示担忧，反对工厂建设。当地市民团体因担心工业设施事故时有害物质扩散的可能性而举行集会，并已提起相关诉讼。

韦斯特拉菲特市的官员计划借此次访问韩国的机会展开居民说服工作。他们将强调SK海力士工厂的安全运营及其对当地经济的显著就业效益，基于亲自考察韩国生产设施的经验。

市长艾琳·伊斯特在最近的采访中表示：“我们不断收到居民的反馈，认为亲自查看韩国设施后会感到安心。”她还表示：“我们希望与SK海力士建立长期关系，理解其系统和流程，并在2028年工厂投产前保持沟通，建立长期伙伴关系。”

最近，SK海力士的ADR上市推进与印第安纳州工厂建设相结合，预计将最大化在美国的业务协同效应。通过ADR扩大美国投资者基础，提高当地企业知名度，将有助于在美国中心重组生产、投资和融资。

一位业内人士表示：“ADR不仅是简单的资本筹集工具，更是扩大在美国市场存在感的重要手段。”他还指出：“如果与HBM封装工厂建设结合，SK海力士的美国业务将进入涵盖生产、投资和融资的本地化阶段。”