SK海力士在第一季度创下了72%的营业利润率新纪录，远超半导体行业的标杆台积电（58.1%）。这一成绩主要得益于高带宽存储器（HBM）销售的扩大和通用存储器价格的大幅上涨。

根据23日的公告，SK海力士今年第一季度的销售额为52.5763万亿韩元，营业利润为37.6103万亿韩元，净利润为40.3459万亿韩元。营业利润率达到72%，超过了去年第四季度的58%的最高纪录。

与台积电的差距显著扩大，去年第四季度SK海力士的营业利润率领先台积电4个百分点，而今年第一季度这一差距扩大到14个百分点。

三星电子本月初公布的初步业绩显示，其第一季度的营业利润率为43%，存储器部门的利润率估计在60%至70%之间。

SK海力士在2023年第一季度的营业利润率曾跌至-67%，但在同年第四季度回升至3%，此后每季度持续上升。

本季度销售额首次突破50万亿韩元，营业利润较上季度翻倍，显示出明显的盈利改善趋势。

AI用HBM销售的扩大和通用DRAM价格的急剧上涨是业绩大幅提升的主要原因。SK海力士表示，尽管第一季度是季节性淡季，但由于AI基础设施投资的增加，需求依然强劲，HBM、高容量服务器用DRAM模块和eSSD等高附加值产品的销售扩大，推动了业绩的增长。

通用DRAM价格的急剧上涨是业绩提升的主要推动力之一，第一季度通用DRAM合同价格较上季度上涨了90%以上。HBM在SK海力士整体DRAM出货量中占比约30%，其余为通用产品。

得益于良好的业绩，财务状况也大幅改善。第一季度末现金资产较上季度末增加19.4万亿韩元，达到54.3万亿韩元，而借款减少2.9万亿韩元，达到19.3万亿韩元，实现了35万亿韩元的净现金。

SK海力士总裁郭鲁正上月在股东大会上表示，为应对结构性需求增长并保持竞争力，稳定的财务状况至关重要，并提出了确保超过100万亿韩元净现金的目标。

业绩的上升趋势预计将持续。随着AI技术的发展，存储器需求基础扩展到DRAM和NAND全领域，存储器效率技术的扩散提高了AI服务的竞争力，最终形成了扩大整体服务规模的良性循环环境。公司预计，DRAM和NAND的友好价格环境将持续。

SK海力士将继续投资以确保未来的竞争力。HBM将加强综合执行能力，包括性能、良率、质量和供应稳定性。DRAM方面，将首次应用10纳米级第六代（1c）工艺的LPDDR6，并基于相同工艺开始量产192GB SOCAMM2。

NAND方面，继推出应用CTF技术的321层QLC消费级SSD“PQC21”后，将在企业级SSD全领域推出高性能TLC和大容量QLC产品线，以灵活应对AI需求。

特别是，计划基于与在大容量QLC eSSD方面具有优势的Solidigm的协同效应，增强在AI数据中心和AI PC存储市场的竞争力。

今年的投资规模预计将大幅增加，费用将用于M15X的提升、龙仁集群等基础设施准备以及EUV等核心设备的获取。

SK海力士表示，将战略性地扩充生产基础，以先发制人地应对中长期需求增长，通过考虑需求可见性的投资，确保供应稳定性和财务健康。