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韩国与美国AI内存解决方案竞争加剧,SK海力士加入战局

赵成俊 기자 2026-04-21 15:12
补充HBM限制的中间内存崛起,SOCAMM市场全面展开 继三星之后,SK海力士量产,成为AI竞争力关键因素
SK海力士利川园区M16
SK海力士利川园区M16 [图片=SK海力士]


SK海力士宣布开始量产被视为下一代AI内存的SOCAMM,旨在通过应对英伟达的下一代平台,争取AI基础设施竞争的主导地位。

SK海力士于20日表示,将量产针对英伟达“维拉·鲁宾”平台优化的SOCAMM2 192GB产品。这种内存与GPU架构结合设计,旨在减少超大规模AI模型运行时的数据瓶颈,提高处理性能。

SOCAMM是一种将低功耗DRAM(LPDDR)重新配置为服务器模块的内存,位于GPU高带宽内存(HBM)和服务器DDR5内存之间,起到弥合两者性能和功耗差距的“中间层”作用。

随着AI计算的高度化,现有结构的局限性愈发明显。HBM虽然在超高速处理上有优势,但热量和成本负担较大,而DDR5在大容量配置上有利,但与GPU的物理距离较远,导致数据延迟。SOCAMM则靠近GPU,减少数据移动距离,同时基于低功耗特性降低热量和功耗。

SOCAMM2在AI服务器中成为支持GPU性能的关键部件,尤其在英伟达维拉·鲁宾平台中,被选为同时提升计算性能和功耗效率的内存层。

主要内存厂商正展开SOCAMM竞争。三星电子上月在GTC 2026上首次发布基于SOCAMM2的内存解决方案并宣布量产。

在此背景下,SK海力士也开始量产SOCAMM2,标志着SOCAMM从概念验证阶段进入全面量产竞争阶段。尤其是基于HBM的技术实力,扩展至低功耗和高带宽内存领域,意义重大。

美国的美光公司上月也向客户交付了256GB容量的SOCAMM2样品,正在准备量产。

SOCAMM的崛起不仅是产品的出现,更与AI基础设施结构的变化息息相关。HBM负责超高速计算,SOCAMM平衡功耗和数据处理,DDR5负责大容量,形成多层结构。

从数据中心的角度来看,SOCAMM在AI基础设施扩展中,通过降低功耗和保持处理性能,成为降低总拥有成本(TCO)的替代方案。

业内人士预计,未来AI服务器内存结构将重组为HBM-SOCAMM-DDR5-CXL的多层结构,其中SOCAMM将成为处理“热数据”和中间数据缓冲的核心。

半导体行业相关人士表示:“随着SK海力士正式加入SOCAMM量产,三星电子的AI内存竞争也从HBM进入新阶段。未来,功耗效率和系统优化能力将成为核心竞争力,SOCAMM技术实力的掌握将成为AI基础设施竞争力的关键因素。”





※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。

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