SK海力士位于江苏省无锡市的DRAM工厂 【图片提供 SK海力士】
在全球人工智能（AI）投资持续升温、存储芯片供不应求的热潮下，三星电子和SK海力士加码中国工厂投资，以提升工艺制程和产能，应对不断增长的市场需求。
据韩国金融监督院日前消息，三星电子去年向中国西安存储芯片工厂投资4654亿韩元（约合人民币21.4亿元），同比大幅增长67.5%。西安工厂是三星电子位于海外的唯一NAND闪存生产基地，产能占全球总产量约40%。
SK海力士去年也向位于江苏省无锡市的DRAM工厂和大连NAND闪存制造法人投资超过1万亿韩元。仅无锡工厂投资规模达5810亿韩元，同比增长102%。这是自2022年收购英特尔大连NAND工厂后，SK海力士首次在中国进行万亿韩元级的投资。
分析认为，尽管面临美国对华半导体出口管制风险，但三星电子和SK海力士仍加码中国市场布局，主要源于全球对存储芯片源源不断的需求。
目前内存芯片市场中，DRAM与NAND闪存今年订单已售罄，供需缺口较大。AI服务从单纯的检索升级为更复杂的推理与学习模式演进，对高性能存储芯片，尤其是AI数据中心对高端内存的需求急剧上升。
瑞银证券预测，今年全球半导体市场规模有望同比增长40%以上，扩大至1万亿美元。中国在AI基础设施方面的持续投资，为本地存储芯片市场提供强劲支撑。中国内存芯片市场规模去年接近4580亿元人民币，今年有望继续扩大。
在此背景下，三星电子和SK海力士正通过升级中国工厂来扩大整体产能。三星电子计划将西安工厂的NAND生产工艺从目前的128层（第6代）升级至236层（第8代）。SK海力士则已将无锡工厂的DRAM工艺从10纳米级第3代（1z）升级至第4代（1a），具备大规模生产DDR5等高附加值产品的能力。
业内人士指出，通常出于保护核心技术的考虑，海外工厂工艺制程水平比本土落后约两代。但随着需求持续增长，中国工厂加速推进技术升级。预计未来高附加值产品的量产将显著提升两家企业的盈利能力。
