国内半导体行业在人工智能（AI）投资扩大的推动下，前景乐观。随着AI推理需求的激增，高带宽内存（HBM）等高性能内存市场迅速增长，国内半导体企业也在加速应对中国技术追赶的下一代技术开发竞争。SK海力士开发总裁安贤在14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)的主题演讲中表示：“预计到2030年，AI基础设施的性能规模将比今年增长约20倍。”安贤指出，随着AI推理的工作复杂度、处理信息量和请求量同时增加，内存需求也急剧上升。特别是，随着AI处理的信息存储和再利用的“KV缓存”增多，HBM、DRAM和固态硬盘（SSD）之间的数据移动成为新的性能瓶颈。为此，SK海力士将扩大定制化HBM的开发，同时推进高带宽闪存（HBF）的开发，目标是容量超过HBM的10倍，并在运算半导体上直接堆叠DRAM。安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制型产品将更为普及。”此外，中国的内存技术追赶也是国内企业竞争的一个变量。中国内存企业长鑫存储科技（CXMT）已预告将在下一代服务器用DRAM中应用“4F²”（四方形）技术。4F²技术可以缩小DRAM单元面积，使同一空间内存储更多数据。当天，三星电子首席技术官宋在赫在活动现场被问及4F²技术的开发进展时回答：“是的。”但对于开发进展情况，他表示：“我们正在努力。”此前，三星电子和SK海力士也一直在研究该技术，但因成本问题尚未应用于量产。随着中国技术开发速度的加快，国内企业也在全力争取下一代内存技术的掌握。在此背景下，双方在展会上分别展示了各自的下一代AI半导体技术和商业战略。三星电子展示了涵盖内存、代工和先进封装的综合半导体实力，介绍了下一代HBM4E、基于4纳米工艺的HBM4E基础芯片以及三维内存技术zHBM等AI半导体综合解决方案。在新设的“半导体集群区”中，公开了包括龙仁国家产业园区等主要生产基地和基础设施扩展计划。三星电子计划在龙仁国家产业园区投资约360万亿韩元，预计于2027年开始土地开发和建设，目标在2029年10月启动首条生产线。SK海力士则重点展示了以HBM为中心的AI内存技术和与英伟达的合作。在展位内最大规模的展台上，展示了HBM、HBF结构模型、高性能DRAM和企业用SSD等产品。特别是，展示了英伟达的“贝拉·鲁宾”超级芯片和首席执行官黄仁勋签名的HBM晶圆，以强调双方的合作关系。同时，还展示了256GB的服务器用3DS RDIMM和移动用LPDDR6等多种内存产品。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子于10月14日在首尔COEX举行的‘SEDEX 2026（半导体大战）’展会上展示了多款AI应用领域的主要半导体产品和技术解决方案。 三星电子半导体（DS）部门以‘架构AI系统’为主题，展示了包括下一代技术、云AI、边缘AI、物理AI、半导体集群和共生合作在内的六个展区。 基于内存、逻辑设计、代工和先进封装的综合能力，三星电子多角度介绍了AI半导体解决方案。 在内存领域，展示了高性能的第七代高带宽内存（HBM4E）和内置运算功能的LPDDR-PIM，以及基于3D内存架构的‘zHBM’和用于边缘AI的‘zNAND-O’（以上为模型）。 在代工和系统LSI部门，展示了应用4纳米工艺的HBM4E基础芯片和移动应用处理器‘Exynos 2600’等产品。 新设立的‘半导体集群区’介绍了主要基地和龙仁国家产业园区的建设计划。三星电子计划在龙仁国家产业园区投资约360万亿韩元，预计于2027年开工，2029年10月实现首条生产线投产。约70家材料、零部件、设备及无厂半导体企业将入驻，构建有机的半导体生态系统。 通过‘共生合作区’，展示了资金、技术、人才和教育等多种合作伙伴支持计划及共同成长的成果。自1981年成立‘协成会’以来，三星电子持续推动共生发展，并在2025年度共生发展指数评估中连续14年获得最高等级。 此外，DS部门还将在本月起的两个月内向主要合作伙伴现场提供‘共生咖啡车’，并于12月举行‘电影日’等‘DS Together’活动。

三星电子正在积极申请与下一代人工智能（AI）内存相关的高带宽闪存（HBF）商标。据业界消息，三星电子近期申请了'zHBF'商标。这是为了未来布局而提前申请的商标，实际开发则是在FMS上公开的zNAND-O进行的。HBF是一种新型内存，与垂直堆叠的HBM不同，它通过叠加闪存实现大容量和高数据传输速度的双重目标。HBF被视为填补HBM与固态硬盘（SSD）之间性能和容量差距的新内存层。随着AI市场从学习向推理扩展，对像HBF这样的高容量、高带宽内存的需求也在增加。由于AI模型的规模和处理数据急剧增加，仅依靠价格昂贵的HBM已难以满足所需的内存容量。HBF利用闪存的大容量特性，能够比现有SSD更快地提供数据，从而缓解AI加速器的内存瓶颈。三星电子还在专注于其下一代闪存解决方案zNAND-O的开发。该产品在本月初于美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的'FMS 2026'上首次公开，旨在应对AI推理过程中对大容量数据处理的需求，是针对下一代AI内存市场的高性能闪存解决方案。三星电子还在扩大下一代AI内存技术的开发范围。在FMS上，三星还展示了将运算单元和内存垂直堆叠的下一代3D内存'zHBM'概念。与传统HBM放置在AI加速器旁边不同，该设计将内存堆叠在加速器上方，以缩短物理距离，降低数据传输过程中的延迟和能耗。不过，此次'zHBF'商标的申请并不意味着会立即开发或商业化新的产品。由于下一代AI内存市场的技术和产品名称尚未确定，因此可以理解为三星电子提前确保知识产权以应对未来的潜在应用。

未来资产证券于26日表示，三星电子的股价过度反映了宏观不确定性，维持“买入”评级和37万韩元的目标股价。分析认为，创纪录的股东回报、内存市场的改善以及定制HBM技术的竞争力将推动未来企业价值的重新评估。未来资产证券的研究员金英建在前一天收盘后发布的报告中指出：“目前股价的12个月前瞻市净率和市盈率分别降至1.7倍和4.3倍，已回落至人工智能周期之前的水平。”他表示：“营业环境和行业前景的显著变化有限。”三星电子于21日公布了2026年股东回报规模为90万亿至110万亿韩元。预计在第三季度将进行约30万亿韩元的现金分红，其余部分将在明年1月的董事会上确定。根据前一天的收盘价，2026年最大股息收益率为普通股8.3%，优先股11.0%。内存市场的前景也被看好。未来资产证券维持对三星电子第三季度和第四季度营业利润的预期，分别为120万亿韩元和126万亿韩元，并预计2027年营业利润为559万亿韩元。预计到2028年，DRAM供需将保持紧张，基于HBM价格上涨，DRAM平均售价在第三季度将上涨15%，第四季度上涨5%，2027年上涨22%。中国对人工智能基础设施的需求扩大也将支撑HBM的需求。金研究员表示，他在17日至22日访问了中国的7家半导体公司，发现中国的人工智能基础设施需求激增，需求主体正从政府补贴转向CSP和人工智能模型公司的实际需求。然而，中国的HBM自给自足水平低于预期，当地加速器公司的HBM3级自给自足时间预计在约两年后。三星电子的下一代HBM技术也受到积极评价。三星电子在“Hot Chips 2026”上展示了定制HBM路线图，并推出了无需中介的XPU上叠加内存的“zHBM”。zHBM技术可将功耗降低约70%，并将节省下来的100W重新分配给GPU运算。金研究员表示：“zHBM是基于小于6微米间距的混合键合和内存-SoC集成设计的行业未曾涉足的领域，”并称：“只有同时拥有内存、前端代工和先进封装技术的三星电子才能实现这一技术。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子与SK海力士在高带宽内存（HBM）之后的市场布局上出现了明显分歧。三星电子采取了针对客户人工智能（AI）芯片的“定制化”策略，而SK海力士则致力于占领多个客户可共同使用的“开放标准”。 根据5日的半导体行业消息，三星电子与SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“FMS 2026”上展示了下一代AI内存技术，技术方向明显分化以争夺HBM之后的市场主导权。 三星电子推出的技术是zHBM。与传统HBM将内存贴近AI加速器不同，zHBM将内存垂直叠加在AI加速器上。这样可以缩短处理器与内存之间的距离，从而加快数据传输速度并降低功耗。 三星电子表示，zHBM的性能可比HBM5高出最多8倍，功率与性能比最高可提高3倍，热阻可降低50%以上。随着AI模型的增大，数据传输瓶颈也随之加剧，因此采用将内存更靠近的方式来解决这一问题。 定制化设计也是关键。三星电子表示，可以在内存与AI加速器之间的中介层中加入客户特定的IP。这意味着可以根据客户的需求调整内存容量、加速器性能和功率条件。 在NAND方面，三星电子也强调了3D策略，展示了400层以上的第10代V NAND，即V10 BV-NAND。通过应用晶圆粘合技术，集成度比上一代提高了约58%。同时还展示了用于设备内AI的zNAND-O。 SK海力士的方向则是标准化。与闪迪合作，公开了高带宽闪存（HBF）的首个标准规格。HBF是一种新一代存储技术，能够像HBM一样快速传输数据，同时基于NAND扩大容量。 HBF是位于HBM与固态硬盘（SSD）之间的新层。随着AI推理的普及，数据量将增加并需要更频繁地调用。仅靠HBM会增加容量负担，而仅靠SSD则速度不足。SK海力士计划通过HBF填补这一空白。 此次标准的容量设定为最大512GB，带宽分为每秒约0.4TB至3.0TB的三个等级。与处理器的连接采用开放芯片接口UCIe，确保与GPU和CPU等不同芯片的连接。 SK海力士在FMS上首次展示了第10代375层4D NAND，产品的功率与性能比比上一代提高了2.5倍。公司计划在明年初基于此推出高性能、高容量的eSSD量产。 半导体行业人士表示：“后HBM竞争不仅是单一产品规格的较量，更是AI系统架构谁先掌控的斗争。”他指出：“三星通过客户定制化优化，SK海力士则通过开放生态系统，针对AI内存瓶颈采取了不同的策略。”

三星电子公开了在人工智能加速器上直接堆叠高带宽内存（HBM）的下一代三维内存结构。这一新结构突破了传统HBM的水平布局方式，旨在减少数据移动距离和电力消耗，同时提供AI半导体的设计、生产和封装一体化解决方案。 三星电子在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“FMS 2026”展会上首次展示了下一代3D内存“zHBM”和“zNAND-O”的样品，并发布了堆叠超过400层的第10代V NAND“V10 BV-NAND”。 zHBM采用了将内存垂直堆叠在加速器上方的新方式，旨在缩短运算设备与内存之间的数据移动距离，从而提高带宽和电力效率。 根据三星电子的说法，基于zHBM的系统性能可比HBM5提高最多8倍，电力效率提升可达3倍，热阻预计降低至一半以下。 在加速器与内存之间，将应用定制功能的中间层，以便根据客户开发的AI处理器调整内存容量、运算功能和数据处理结构。 不过，此次发布的产品为样品，并非实际量产产品。未来将通过与客户的共同设计和热管理技术验证，确定商业化时间表。 在NAND闪存方面，三星电子也扩大了垂直堆叠的范围。zNAND-O结合了V NAND技术和硅通孔电极，将NAND芯片打包为4层或8层，预计将在智能手机和PC等设备中提高数据加载速度和空间效率。 三星电子还发布了400层以上的V10 BV-NAND。该技术采用了将单元和周边电路分开后，垂直结合晶圆的键合技术，以及连接三个单元结构的堆叠方式。 通过这一技术，三星电子表示在相同面积上可存储的数据量比上一代提高了约58%。同时，读取、写入和输入输出性能也得到了改善，计划应对AI数据中心的高容量存储市场。 东芝在6月也公布了400层以上的第10代BiCS闪存开发计划，预计NAND竞争将朝着降低集成度、功耗和生产成本的方向发展，而不仅仅是堆叠层数的竞争。 在此次展会上，三星电子还展示了HBM4E、HBM5以及在内存内部执行部分运算的LPDDR5X-PIM。同时，通过企业级SSD PM1763和超高容量产品BM1773，满足AI学习和推理所需的存储需求。 此次技术发布被解读为三星电子在内存产品性能竞争之外，拓展半导体系统结构设计的业务范围。随着AI加速器与内存结合的加强，代工、逻辑设计和先进封装能力在市场竞争中的影响也将日益增加。 三星电子计划利用其在内存、系统半导体设计、代工和封装方面的综合业务结构，从产品设计阶段到量产全程支持客户。要使下一代3D内存实际应用于客户产品，稳定管理良率、发热和封装成本将是关键。