韩国半导体产业面临警告信号。中国的内存企业在D램和闪存技术追赶上加速发展。尽管三星电子和SK海力士在先进内存市场保持优势，但中国政府的全力支持和庞大的内需市场使得竞争愈发激烈。预计到2030年，中国的半导体竞争力将超越韩国。15日，业界消息称，韩国经济人协会对去年国内200家主要出口企业进行调查，预测到2030年中国的半导体竞争力将超过韩国。以韩国的竞争力为100，中国的竞争力预计将从去年的99.3提升至2030年的107.1。这意味着在短短五年内，竞争优势可能会发生逆转。不仅是半导体，调查还显示，韩国的显示器、造船、电气电子等十大主要出口行业都将落后于中国。这一预测与中国内存企业的最新动态密切相关。中国D램制造商长鑫科技（CXMT）正在推进下一代服务器用D램的‘4F²’技术，该技术将单元面积减少33%，并计划在今年内实现量产。这项技术能够在同一晶圆上生产更多芯片，从而降低制造成本。三星电子和SK海力士也在研究相关技术，但尚未确定商业化时间。CXMT是否能确保稳定的良率尚不确定。然而，如果成功量产，其对市场的影响将是显著的。随着AI数据中心投资的扩大，内存市场的供应短缺持续，如果中国D램的供应增加，供需失衡可能会比预期更快得到缓解。这也可能导致三星电子和SK海力士的内存繁荣提前结束。CXMT还在扩大与中国大型科技公司的合作。最近与腾讯签订了超过200亿人民币（约合4.1万亿韩元）的服务器用D램长期供应合同。阿里巴巴云、字节跳动、联想、小米等也是其主要客户。CXMT依托庞大的内需市场，稳固了销售渠道，并积累了产品验证经验。其内存业务领域也在逐步扩大。CXMT正在北京新工厂建设闪存研发（R&D）生产线。相反，中国闪存制造商长江存储（YMTC）也在向客户提供低功耗D램样品，考虑进入市场。此前分别负责D램和闪存的中国两大内存企业正在相互渗透各自的领域。在闪存市场，中国的追赶已开始显现。市场研究机构Counterpoint Research的数据显示，YMTC在2023年第二季度的全球闪存出货量市场份额为16.5%，位列三星电子和SK海力士之后，成为全球第三。尽管面临美国的半导体设备出口管制，YMTC依然凭借独特的堆叠技术‘Xtacking’增强了生产竞争力。YMTC不仅在智能手机和PC用闪存方面发力，还在进军AI数据中心企业级固态硬盘（SSD）市场。8月，该公司申请在上海证券市场上市，计划融资约330亿人民币（约合7万亿韩元），以用于生产设备扩充和研发投资。中国追赶的威胁性更在于政府层面的全力支持。中国政府通过巨额补贴和扩大国内半导体采购，支持企业的成长。即使在良率和成本竞争力上暂时落后于韩国企业，依然能够通过持续生产和销售提升技术水平。最近，曾任中国工业和信息化部部长的李乐成访问了CXMT，强调将半导体产业视为与国家安全直接相关的战略产业，并表示将给予全力支持。中国政府计划通过第十五个五年规划（2026-2030年）培育包括高密度内存在内的先进半导体技术及相关产业供应链。然而，目前仍存在至少2至3年的技术差距。CXMT需要证明下一代D램的量产良率，而YMTC则需扩大高附加值产品的比例并确保全球客户。三星电子和SK海力士也在全力开发高带宽内存（HBM）等先进内存技术，以保持技术优势。问题在于，普遍预期中国的追赶将愈加迅速。基于巨额资金和内需市场，如果中国企业扩大通用内存的供应，势必会对韩国企业的市场主导地位和盈利能力造成压力。相较于短期内的技术逆转，更需警惕的是中国持续的生产能力扩张可能改变全球内存市场的格局。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

파두发布了一项新技术，旨在减少人工智能（AI）数据中心的数据处理瓶颈。其核心在于将传统服务器中央处理器（CPU）负责的文件处理功能转移至SSD内部，使得图形处理器（GPU）等加速器能够直接访问存储设备。 파두于美国加利福尼亚州圣荷西举行的‘2026 OCP全球峰会’上宣布推出‘文件语义SSD（FS-SSD）’，并表示该技术为全球首创。 FS-SSD与传统SSD处理数据块地址不同，设计上能够识别和管理文件本身。通过在파두的第六代SSD控制器中嵌入文件处理固件，SSD内部能够处理文件搜索、访问权限验证及文件与地址之间的转换等任务。 因此，GPU或数据处理单元（DPU）可以不经过CPU和主机文件系统，直接访问SSD。这一变革旨在减少在生成型AI学习和推理过程中，由于频繁调用大规模数据而导致的CPU数据处理结构瓶颈问题。 今年的OCP全球峰会同样将AI优化SSD架构、KV缓存、LLM提示缓存、DPU等作为存储领域的主要议题，强调了针对AI运算的存储结构改进的重要性。 파두计划将FS-SSD发展为基于DPU的无主机存储服务器和可扩展文件存储，并向服务器制造商和设计公司提供相关参考设计。 在此次活动中，파두还展示了第六代SSD控制器‘FC6161’，其在16TB SSD标准下的性能比第五代产品提升了最大2.5倍。完整SSD的功耗在顺序写入时低于28W，待机状态下低于5W。 파두的代表南이현表示：“AI数据中心需要电力效率、稳定的延迟时间、电力管理和冷却等多种因素。”他还表示：“我们将基于控制器技术，扩大FS-SSD及其他AI存储解决方案的业务。”

国内半导体行业在人工智能（AI）投资扩大的推动下，前景乐观。随着AI推理需求的激增，高带宽内存（HBM）等高性能内存市场迅速增长，国内半导体企业也在加速应对中国技术追赶的下一代技术开发竞争。SK海力士开发总裁安贤在14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)的主题演讲中表示：“预计到2030年，AI基础设施的性能规模将比今年增长约20倍。”安贤指出，随着AI推理的工作复杂度、处理信息量和请求量同时增加，内存需求也急剧上升。特别是，随着AI处理的信息存储和再利用的“KV缓存”增多，HBM、DRAM和固态硬盘（SSD）之间的数据移动成为新的性能瓶颈。为此，SK海力士将扩大定制化HBM的开发，同时推进高带宽闪存（HBF）的开发，目标是容量超过HBM的10倍，并在运算半导体上直接堆叠DRAM。安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制型产品将更为普及。”此外，中国的内存技术追赶也是国内企业竞争的一个变量。中国内存企业长鑫存储科技（CXMT）已预告将在下一代服务器用DRAM中应用“4F²”（四方形）技术。4F²技术可以缩小DRAM单元面积，使同一空间内存储更多数据。当天，三星电子首席技术官宋在赫在活动现场被问及4F²技术的开发进展时回答：“是的。”但对于开发进展情况，他表示：“我们正在努力。”此前，三星电子和SK海力士也一直在研究该技术，但因成本问题尚未应用于量产。随着中国技术开发速度的加快，国内企业也在全力争取下一代内存技术的掌握。在此背景下，双方在展会上分别展示了各自的下一代AI半导体技术和商业战略。三星电子展示了涵盖内存、代工和先进封装的综合半导体实力，介绍了下一代HBM4E、基于4纳米工艺的HBM4E基础芯片以及三维内存技术zHBM等AI半导体综合解决方案。在新设的“半导体集群区”中，公开了包括龙仁国家产业园区等主要生产基地和基础设施扩展计划。三星电子计划在龙仁国家产业园区投资约360万亿韩元，预计于2027年开始土地开发和建设，目标在2029年10月启动首条生产线。SK海力士则重点展示了以HBM为中心的AI内存技术和与英伟达的合作。在展位内最大规模的展台上，展示了HBM、HBF结构模型、高性能DRAM和企业用SSD等产品。特别是，展示了英伟达的“贝拉·鲁宾”超级芯片和首席执行官黄仁勋签名的HBM晶圆，以强调双方的合作关系。同时，还展示了256GB的服务器用3DS RDIMM和移动用LPDDR6等多种内存产品。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士已明确其针对超越高带宽内存(HBM)的下一代内存市场的技术战略。随着人工智能(AI)推理市场的快速增长，内存间的数据传输成为新的瓶颈，SK海力士计划通过定制化HBM、高带宽闪存(HBF)和三维堆叠DRAM等技术，继续在AI半导体市场中保持领先地位。 SK海力士开发总裁安贤在10月14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)主题演讲中强调：“为了实现AI基础设施的持续增长，必须超越单一内存性能的提升，优化整体内存层次。” 安贤在以“AI时代，内存技术的演变方向”为主题的演讲中指出，随着AI推理需求的快速增长，现有内存结构的局限性逐渐显现。他预测，到2030年，AI基础设施的规模将比今年扩大19倍。 他特别提到，过去计算单元与内存之间的速度差异是问题，而未来HBM、DRAM和固态硬盘(SSD)等不同内存层次之间的数据传输将成为新的瓶颈。因此，除了提升现有内存的性能外，还需要在各层之间引入新的内存技术。 首先，HBM将演变为根据客户的AI系统量身定制的产品。SK海力士正在开发HBM4E和HBM5等下一代产品，并准备在基础芯片上搭载客户所需的功能。 安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制化趋势将进一步扩大，我们已准备好具备多项核心技术以充分满足客户需求。” 在HBM之后，SK海力士提出了HBF和三维堆叠DRAM技术。HBF是将HBM的堆叠技术应用于闪存的下一代内存，SK海力士的开发目标是实现与同代HBM相比，数据传输带宽降低至一半，同时存储容量提高10倍以上。 HBF的标准化也在加速进行中。SK海力士与闪迪和谷歌等全球合作伙伴合作，于今年7月在开放计算项目(OCP)上公开了初步规格，计划在明年1月制定最终规格。安贤强调：“在AI时代，多个客户和合作伙伴共同定义规格并制定标准，建立生态系统是非常必要的。” 三维堆叠DRAM技术是将DRAM直接堆叠在图形处理单元(GPU)等计算半导体上，目标是将输入输出连接数量扩大数十倍，提高数据传输性能并降低功耗。 此外，下一代企业级SSD技术“存储下一代(Storage-Next)”也在开发中。通过重新设计闪存和控制器结构，计划将输入输出处理性能提高4至8倍，并与客户共同开发。 安贤表示：“我们并不只是将内存视为单一组件，客户的技术需求各不相同，我们将通过新的内存解决方案推动AI生态系统的持续增长。”

由于人工智能（AI）产业的增长，半导体产业迎来了繁荣，9月信息通信产业（ICT）出口首次突破700亿美元。 根据科学技术信息通信部（科通部）和产业通商部（产业部）14日的报告，9月ICT出口达751亿5000万美元，同比增加195.8%。这是首次超过700亿美元。 进口额为214亿3000万美元，同比增加55.3%。贸易顺差为537亿1000万美元。 推动9月ICT出口增长的主要产品包括半导体、手机以及计算机和周边设备。半导体出口额为603亿3000万美元，同比增长262.8%。这主要得益于高附加值产品的销售增加和内存固定交易价格的持续上涨，创下历史新高。 手机领域也因相机模块和3D传感器等零部件出口增加，同比增长28.2%，达19亿美元。 计算机及周边设备的出口额为71亿6000万美元，同比激增393%。这与人工智能数据中心投资的持续扩大，以及固态硬盘（SSD）和中大型计算机的出口增加有关。 相反，显示器和通信设备的出口有所下降。显示器因部分智能手机新产品发布日程调整导致需求减少，同比下降11.5%，记录为17亿美元。通信设备因日本、波兰等国无线通信设备需求减少，同比下降2.3%，为2亿2000万美元。 以半导体和手机为中心的地区出口普遍增长。中国的出口额同比增长228.9%，达到304亿美元；越南增长66.8%，达到67亿7000万美元；美国则增长420.1%，达到151亿7000万美元。 台湾的出口额同比增长110.9%，达到90亿6000万美元；欧盟（EU）增长128.5%，为29亿6000万美元；印度为10亿2000万美元；日本增长119.6%，达到8亿4000万美元。 此外，8月ICT出口为599亿8000万美元，同比增加162.6%。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士的美国子公司索利达姆正在大幅扩大对全球人工智能（AI）云公司的企业用SSD（eSSD）供应，迅速提升其NAND业务的竞争力。尽管在美国纳斯达克上市（IPO）前有部分声音提出“重复上市”的争议，但这被认为是对其巩固AI存储主导地位的根本商业目的的低估。 根据高盛在13日发布的半导体行业报告，索利达姆在今年上半年高容量企业用SSD（eSSD）市场中的四层单元（QLC）基础市场份额已超过60%，显示出快速增长。高盛指出：“主要生产线的开工率保持在100%，为进入美国资本市场奠定了坚实的业绩基础。”随着AI数据中心的扩展，数据存储需求急剧增加，具有出色电力效率和空间利用率的QLC基础eSSD订单集中在索利达姆。 索利达姆曾被视为SK海力士的“痛点”。自2021年SK海力士收购英特尔的NAND业务以来，索利达姆记录了数万亿韩元的亏损，增加了母公司的财务负担。 然而，凭借对大容量eSSD市场的独占供应，索利达姆在2024年第一季度成功实现盈利，完成了完美的转型。继年利润达到1.4万亿韩元后，今年上半年净利润达到了5.8万亿韩元，持续向好。 随着索利达姆在美国证券市场的上市前景逐渐明朗，部分人士提出了“重复上市”的担忧，但业内普遍认为此次IPO与典型的国内重复上市争议本质上不同。与将总部核心业务剥离进行再上市的物质分割不同，此次是通过海外并购（M&A）将美国公司纳入本地资本市场的结构。 成均馆大学法学院名誉教授崔俊善表示：“将优质业务分离的典型物质分割与海外公司的本地资本市场进入是完全不同的类型。”他指出：“应当关注资金的使用和对现有股东价值的提升，而不是形式上的上市问题。” 考虑到SK集团在AI基础设施扩展方面需要超过1000万亿韩元的大规模资金，以及美国等全球半导体厂扩张的同步推进，SK海力士在高带宽内存（HBM）和下一代DRAM投资上集中使用自有资金，而索利达姆则计划独立融资，推动新NAND工厂的设立和研发（R&D）。 此时也是上市的良机。摩根士丹利等海外投资银行（IB）指出，在闪迪、镁光等全球存储企业估值飙升的背景下，索利达姆以880亿美元（约11.85万亿韩元）的收购价格，预计在纳斯达克上市时将获得高达1500亿美元（约200万亿韩元）的企业价值认可。 由于新股发行，SK海力士的持股比例部分稀释似乎不可避免。然而，若索利达姆的规模不断扩大，增长速度加快，SK海力士所持股份的绝对价值反而有可能得到极大提升。 业内人士表示：“与其让母公司100%控股后将市场拱手让给中国或竞争对手，不如即使持股比例略有下降，长期来看在全球舞台上将企业价值扩大10倍更符合股东利益。”他补充道：“在主导AI存储市场的氛围下，轻微的股权稀释不会对业务推进造成重大障碍。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子和SK海力士在人工智能（AI）半导体需求扩大推动下，持续创造历史最高业绩。三星电子成为全球大型科技公司中首个季度营业利润突破100万亿的企业，而SK海力士预计将在本月底发布历史最高业绩。由于高带宽内存（HBM）需求增加和通用DRAM价格上涨，半导体的繁荣预计将持续到明年。三星电子于8日公布，第三季度合并销售额为195万亿韩元，营业利润为107.4万亿韩元，分别比去年同期增长126.59%和782.5%。与上一季度相比，销售额增长13.70%，营业利润增长20.01%。这是国内企业首次季度营业利润超过100万亿，也是全球大型科技公司中的首次记录。营业利润率达到55.1%，创下历史最高纪录。负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门的业绩改善被认为是整体盈利能力扩大的主要原因。业绩改善的关键在于内存半导体价格上涨。由于AI数据中心投资的扩大，HBM和服务器用DRAM的需求增加，而供应的扩大受到限制，导致内存价格持续上涨。特别是半导体公司将生产能力优先分配给HBM和高附加值的服务器产品，通用DRAM的供应短缺也在加剧。HBM的生产扩大导致通用DRAM价格上涨，进而改善半导体公司的盈利能力。内存公司在保持高附加值产品生产战略的同时，增强了价格谈判能力。继三星电子之后，SK海力士预计将在27日发布历史最高业绩。金融信息公司FnGuide统计的SK海力士第三季度营业利润共识为77.2214万亿韩元，比去年同期增长578.37%。将三星电子的暂定营业利润与SK海力士的市场预期相加，达到184.6214万亿韩元。特别是SK海力士凭借在HBM市场上获得的供应竞争力，保持了较高的盈利能力。对主要AI半导体客户的HBM供应扩大，以及服务器用DRAM和企业用固态硬盘（SSD）等高附加值产品的销售增长，支撑了业绩改善。两家公司的业绩增长预计将持续到今年第四季度，甚至到2027年。由于全球大型科技公司持续投资AI数据中心，而内存半导体供应的扩大速度跟不上需求的增长。此外，今年DRAM和NAND的价格急剧上涨，明年HBM价格上涨的影响也可能加大。市场调研机构TrendForce预计，明年HBM的混合平均销售价格（ASP）将比今年上涨121%。证券公司也在上调明年的业绩预期。梅里茨证券最近将三星电子2027年的营业利润预期从562万亿韩元上调至632万亿韩元，增幅为13%。预计服务器用内存需求的增加和生产能力向高附加值产品转型将继续推动明年价格上涨。对SK海力士明年业绩的期待也很高。友信投资证券预计SK海力士今年的年营业利润为263.4万亿韩元，明年为454.1万亿韩元。尽管内存价格上涨幅度可能减缓，但通过高附加值产品比例的扩大，营业利润率预计将从今年的76%改善至明年的80%。下一代HBM，即HBM4的供应扩大也将是明年业绩的关键因素。三星电子正围绕HBM4增强AI内存的供应竞争力，而SK海力士也在全力生产下一代产品并扩大客户供应。根据HBM市场的供应量和客户的获取情况，两家公司的业绩差距可能会有所不同。然而，内存价格上涨带来的历史性半导体繁荣是否能长期维持仍然不确定。半导体公司的生产能力扩大和大型科技公司AI投资的速度可能会影响供需情况。此外，韩元升值带来的汇率影响和内存价格上涨幅度的波动也是不确定因素。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

随着半导体出口的强劲增长，韩国在8月的经常账户盈余超过461亿美元，创下历史第二高的记录。这一盈余规模仅次于6月。半导体出口同比增长超过200%，商品出口连续三个月突破1000亿美元。 根据韩国银行8日发布的《2026年8月国际收支（初步）》统计数据，8月的经常账户盈余为461亿1000万美元。这是自2023年5月以来连续40个月的盈余，也是自2019年3月以来最长的盈余记录。 按月计算，8月的盈余规模为历史第二，仅次于6月的497亿3000万美元，比7月的420亿8000万美元增加了40亿3000万美元，重新刷新了记录。连续三个月的盈余均超过400亿美元。 今年1至8月的累计经常账户盈余为2792亿美元，约为去年同期（696亿7000万美元）的四倍。韩国银行在8月将今年的经常账户盈余预期从2500亿美元上调至4500亿美元。 商品账户盈余为468亿1000万美元，创下历史第二高，比上月的404亿3000万美元增加了63亿8000万美元。出口额为1048亿美元，同比增加82.1%，连续三个月超过1000亿美元。进口额为579亿9000万美元，增长23.8%。 韩国银行副行长表示，商品出口连续三个月超过1000亿美元，主要是由于半导体的贡献。他指出，半导体的价格和数量均处于高位，因此未来的出口趋势可能会受到半导体市场状况的影响。 根据海关数据，半导体出口增长206.1%，推动了整体出口的增长。固态硬盘（SSD）增长366.8%，石油产品增长64.9%，化工产品增长14.1%。相反，乘用车出口下降30.1%，船舶出口下降45.2%。信息技术产品出口增长162.6%，非信息技术产品增长8.1%。 韩国银行金融统计部部长表示，半导体价格已上涨超过100%，而8月的出口量也接近增长10%。他补充说，非半导体领域的表现也并不差。 服务账户出现16亿8000万美元的赤字，较上月的19亿7000万美元有所缩小。由于海外旅游旺季的影响，旅行账户赤字从3亿4000万美元扩大至7亿7000万美元，但运输账户盈余从6000万美元增加至5亿2000万美元。 初次收入账户盈余为19亿2000万美元，较上月的43亿5000万美元有所减少。由于季度分红的影响，分红收入账户盈余从38亿3000万美元降至11亿8000万美元。 金融账户净资产增加402亿3000万美元。国内投资者在海外证券投资增加166亿美元，创下历史第二大增幅。特别是海外债券投资增加64亿4000万美元，创下历史最高。相反，外国在韩国的证券投资减少48亿5000万美元。 韩国银行国际收支团队负责人表示，近期以机构投资者和个人为主的美国中长期国债投资持续增加。他指出，外国人在韩国的国债投资较上半年减少，主要是由于套利交易的吸引力大幅减弱。 韩国银行认为，今年的经常账户盈余有可能达到4500亿美元的年预期。副行长表示，8月的经常账户走势大致符合年度预期，并表示9月的贸易账户也显示出超出预期的盈余，预计年底前可能实现预期。然而，企业的大规模分红和中东战争的不确定性被视为变数。 关于9月的经常账户预期，他表示，9月的海关出口表现非常强劲，因此预计9月的表现将超过8月。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

受半导体出口持续强劲等因素推动，韩国8月经常项目收支实现461.1亿美元顺差，创历史第二高纪录。 韩国银行（央行）8日发布的国际收支初步统计显示，8月经常项目顺差为461.1亿美元，仅次于今年6月创下的497.3亿美元历史最高纪录，超过7月的420.8亿美元，刷新单月历史第二高纪录。 韩国经常项目顺差已连续3个月超过400亿美元。今年1月至8月，韩国累计经常项目顺差达到2792亿美元，接近去年同期696.7亿美元的四倍。 从具体项目来看，8月商品收支实现468.1亿美元顺差，仅次于6月的478.9亿美元，为历史第二高。同期，韩国商品出口额达到1048亿美元，同比增长82.1%，连续第三个月突破1000亿美元。 按通关口径计算，从主要出口品类来看，计算机外围设备中的固态硬盘（SSD）出口同比大增366.8%，半导体增长206.1%，石油制品增长64.9%。相比之下，乘用车和船舶出口分别下降30.1%和45.2%。 从出口地区来看，韩国对华出口同比增长119.4%，对东南亚和美国出口分别增长91.7%和89.2%。 8月韩国进口额同比增长22.4%，增幅明显低于出口。其中，半导体制造设备、半导体和信息通信设备进口分别增长96.5%、70.6%和42.6%，带动资本品进口增长42.9%。原材料进口增长13.1%，其中煤炭、非铁金属、原油和化工产品进口分别增长42.7%、30.3%、21.1%和22.8%。消费品进口增长4.3%，其中谷物和耐用消费品进口分别增长9.5%和7.1%。 服务收支方面，韩国8月出现16.8亿美元逆差，逆差规模较7月的19.7亿美元均有所收窄。其中，旅游收支出现7.7亿美元逆差，较7月的3.4亿美元有所扩大。不过，受出口运费上涨等因素影响，运输收支顺差由7月的6000万美元扩大至5.2亿美元。知识产权使用费收支逆差则由5.4亿美元缩小至3.9亿美元。 此外，8月韩国初次收入账户实现19.2亿美元顺差，低于7月的43.5亿美元，主要受证券投资季度股息支付影响。 金融账户方面，韩国净资产增加402.3亿美元，与7月的403.2亿美元基本持平。直接投资方面，韩国居民海外直接投资增加62.2亿美元，外国人对韩直接投资减少16.1亿美元。证券投资方面，韩国居民海外证券投资增加166亿美元，仅次于去年10月的172.9亿美元，为历史第二高。其中，海外股票投资增加101.5亿美元；债务证券投资增加64.4亿美元，创历史最高纪录。

三星电子有望成为韩国首家单季度营业利润突破100万亿韩元（约合人民币4990亿元）的企业。在人工智能（AI）热潮带动存储芯片需求激增的背景下，三星电子继今年第二季度后，有望再次刷新历史最佳业绩。 据金融信息机构FnGuide于5日发布的数据，三星电子今年第三季度销售额和营业利润将分别达200.7657万亿韩元和106.9435万亿韩元，均有望超过第二季度销售额（171.4995万亿韩元）和营业利润（89.4924万亿韩元）。三星电子将于8日公布第三季度初步业绩。尽管近期韩元兑美元汇率上升，促使部分券商下调业绩预期，但市场仍普遍认为营业利润突破100万亿韩元的可能性较高。 本轮业绩增长的主要推动力是半导体（DS）部门旗下存储业务。随着大型科技企业扩大AI数据中心投资，不仅HBM需求旺盛，DDR5等服务器用DRAM以及企业级固态硬盘（eSSD）需求也保持强劲，在供给不足的情况下，存储芯片价格维持高位。分析认为，存储业务的高盈利能力有望抵消晶圆代工、系统LSI以及电视和家电等其他业务的疲软表现。 尤其从第三季度开始，HBM4对业绩的贡献预计将进一步扩大。三星电子今年上半年全面启动HBM4量产后，正在迅速提高产量。公司此前在第二季度业绩电话会议上预计，第三季度HBM4销售额将较上一季度增长三倍以上。三星证券预计，第三季度整体HBM销售额将环比增长60%。高附加值HBM4占比提升，不仅有助于扩大销量，也将改善盈利能力。 市场关注的重点是第四季度及以后走势。HBM产量扩大正在影响通用DRAM供应。三星电子预计，明年HBM将占整个行业DRAM晶圆产能的30%，高于目前的水平（20%）。在整体产能有限的情况下，更多产能分配给HBM，意味着用于服务器、个人电脑和移动设备等领域的通用DRAM供应空间可能进一步收窄。 存储芯片价格也有望延续强势。市场研究机构TrendForce预计，第四季度通用DRAM合约价格将环比上涨10%至15%，NAND闪存价格将上涨15%至20%。由于存储芯片企业优先将先进制程产能分配给利润率较高的HBM和服务器产品，以服务器DRAM为中心的供应短缺仍在持续。对三星电子而言，HBM4销量扩大与通用存储芯片价格上涨有望形成双重推动。 美国美光近期公布的强劲业绩也进一步强化了市场对存储芯片行业景气的预期。随着AI应用从模型训练进一步扩展至推理和AI智能体等领域，存储需求不断增加，而短期内供应难以大幅扩张，市场预计供方占据优势的格局仍将持续。 IBK投资证券研究员金云浩（音）表示，预计当前的存储芯片供应短缺将持续，在此背景下，行业盈利能力有望维持当前水平，利润规模也将保持稳定增长。