三星电子于12日（当地时间）作为最高级别的钻石赞助商参加了'OCP全球峰会2026'，发布了提升人工智能（AI）基础设施性能的下一代内存和存储技术战略及全球合作成果。 据业界消息，三星电子在此次活动中提出了三大技术方向：△第8代高带宽内存（HBM5）及定制HBM等高性能内存 △基于CXL的内存扩展技术 △利用下一代SSD的数据存储和管理技术。 心浩俊常务在主题演讲中介绍了以速度、内存扩展性和数据持久性为核心的技术战略。他强调：“为了应对日益庞大的AI模型和推理数据的增加，内存带宽的扩展、容量的保障和数据管理技术至关重要。” 同时，三星电子还展示了与全球企业的技术合作成果。三星电子与AMD共同演示了基于CXL的内存扩展解决方案，提出通过CMM-D基础的内存池技术灵活扩展AI系统的内存容量。 在展会现场，还设有两个专门区域，供参观者体验下一代内存技术。展出内容包括HBM4E、HBM5概念模型、LPDDR5X-PIM等高性能、低功耗内存，以及2纳米GAA晶圆、Grok LPU晶圆、NVIDIA Grok3 LPX系统等，全面展示了三星电子在晶圆代工和封装方面的综合技术实力。 根据市场调研机构的数据，三星电子在2023年第二季度的全球DRAM市场份额为39%（Counterpoint Research），NAND闪存市场份额为29.3%（TrendForce），均位居第一。 另一家市场调研公司Omdia预测：“今年三星电子的DRAM和NAND晶圆生产量将达到行业最高水平。”

三星电子借助高通的下一代移动平台，开始布局下一代人工智能（AI）智能手机内存市场。三星电子不仅完成了LPDDR6的开发，还在实际智能手机的应用处理器（AP）中进行了验证。在刚刚结束的中秋假期期间，高通的“骁龙峰会2026”上，众多采用下一代芯片的全球智能手机制造商被公开。三星电子通过高通所能获取的潜在客户群也得以具体化。 三星电子于23日宣布，成功在高通的“骁龙8精英极限第六代”中以最高10.7Gbps的速度验证了16GB LPDDR6，成为业内首家。为了将新型内存搭载到智能手机中，需要确认AP与数据传输的稳定性。这次验证意味着已跨越了实际供应的关键门槛。 三星的LPDDR6能够处理每秒最多114GB的数据，电力效率比LPDDR5X提高了最多21%。在智能手机中直接运行大规模语言模型和多模态AI时，AP的运算性能和快速供给数据的内存带宽都至关重要。AI代理的持续运行将影响电力效率和电池使用时间。 此次验证的意义不仅限于三星智能手机。高通在峰会上发布了骁龙8精英极限第六代和普通第六代。高通表示，荣耀、爱酷、摩托罗拉、一加、OPPO、红米、红魔、vivo和小米的下一代旗舰产品将搭载这两个平台。三星LPDDR6在极限平台上率先完成验证，为向全球安卓智能手机厂商扩大供应奠定了基础。然而，各制造商是否采用三星LPDDR6及其供应规模尚未公开。 高通与三星的合作范围也在扩大。高通高级副总裁贾德·阿斯加尔在骁龙峰会上提到，三星是扩展个人AI生态系统的重要合作伙伴。他还表示，双方的合作正在从智能手机扩展到智能手表、扩展现实（XR）和AI眼镜等领域。两家公司在移动AP和内存的接触点正在向AI设备整体扩展。 变数在于中国。中国DRAM厂商CXMT于7日宣布已量产自家LPDDR6，并应用于小米18折叠手机。如果属实，这将是CXMT在智能手机商业产品中搭载LPDDR6的先例。CXMT还在20日宣布采用新型“G5”工艺的24Gb LPDDR5X量产，声称每片晶圆可生产的芯片数量至少提高了50%。三星和SK海力士在加快技术转型的同时，还需应对中国厂商的价格竞争。 市场转型预计将从明年开始加速。Omdia预计，LPDDR6在整体出货量中的占比将从2027年的3%提升至2030年的39%。今年第一季度，三星电子的移动DRAM市场份额按销售额计算为43%。为了在下一代规格中继续保持市场第一，技术开发之外，实际智能手机制造商的采用和量产供应时点的提前变得尤为重要。 业内人士表示：“LPDDR6不仅是速度提升的世代更替，而是与设备内AI扩散相结合的内存竞争。首先在高通平台上完成验证，意味着在全球智能手机制造商的供应竞争中占据了有利位置。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子预计在2026年第三季度首次突破单季度营业利润100万亿韩元。由于全球人工智能（AI）热潮导致内存半导体供需紧张和价格上涨，半导体（DS）部门推动了公司整体业绩的极大提升。 根据27日的证券市场和行业消息，三星电子即将于下月初发布的第三季度合并营业利润共识（市场平均预期）预计在106万亿至110万亿韩元之间。如果业绩如预期实现，第三季度一个多月内的利润将接近去年全年总营业利润（43万6000亿韩元）的2.5倍。 加上今年上半年累计营业利润（146万亿韩元），到第三季度的累计营业利润将突破250万亿韩元。 业绩大幅跃升的主要功臣无疑是DS部门内的内存事业部。包括下一代DRAM标准DDR5、LPDDR5X等通用产品，以及企业用高性能固态硬盘（SSD）的价格在整个季度内保持上涨。 市场调研机构TrendForce估计，第三季度DRAM和NAND闪存的平均销售价格（ASP）较上一季度分别上涨了10%左右。虽然与第二季度（约60%）相比，涨幅有所减缓，但供应商主导的格局依然稳固，价格持续上涨。 在内存繁荣的推动下，盈利指标也达到了前所未有的水平。业内人士预计，第三季度DS部门整体营业利润率将至少达到70%中期水平，DRAM单独营业利润率甚至可能超过80%。 第六代高带宽内存（HBM4）的量产和出货加速也为业绩提供了支持。三星电子的HBM市场份额在第二季度跃升至33%，预计下半年主要客户的下一代AI加速器的搭载将进一步扩大其影响力。 不过，各业务部门之间存在温差。代工（半导体委托生产）及系统LSI等非内存部门预计将继续面临约1万亿韩元的营业损失。移动（MX）、电视及家电（VD/DA）部门的业绩疲软影响依然持续。 市场专家认为，至少到2028年，内存半导体的紧张供需环境将持续。 业内人士表示：“虽然汇率波动和通用DRAM相比HBM比例增加可能影响盈利能力，但供应限制和AI的推动力依然强劲。”他还指出：“随着历史性业绩的持续，市场对股东回报政策加强的期待也将进一步升温。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子在高通最新的移动平台上首次验证了下一代低功耗DRAM LPDDR6。随着设备上人工智能（AI）的普及，智能手机的内存需求迅速增加，三星正积极抢占下一代LPDDR市场。根据三星电子的消息，16GB LPDDR6在高通最新的移动应用处理器（AP）“骁龙8精英极限第六代”上成功验证了最高10.7Gbps的速度。LPDDR6在高通下一代骁龙平台上的验证是业界首次。LPDDR是主要用于智能手机等移动设备的低功耗DRAM。最近，随着设备上AI的多模态和AI代理等功能的提升，处理的数据量不断增加。因此，智能手机中DRAM的容量、性能和能效的重要性也日益凸显。市场研究机构Omdia指出，2026年第一季度全球智能手机出货量同比仅增长0.5%，但智能手机中搭载的整体DRAM容量却增长了6.1%。同期，智能手机的平均DRAM容量也从7.8GB增加到8.3GB，增长了5.5%。生成型AI智能手机的普及也有望进一步扩大。Counterpoint Research预测，生成型AI智能手机在去年全球智能手机出货量中占比为36%，预计今年将增至45%，明年将达到52%。这意味着每两部智能手机中就有一部以上将支持生成型AI功能。为了扩大下一代LPDDR市场，三星电子正在加强与主要移动系统芯片（SoC）厂商的合作。2022年，三星在高通骁龙移动平台上完成了LPDDR5X的运行验证，而在2024年，三星在业界首次在联发科的旗舰移动AP“天玑9400”上验证了当时业界最高速度的10.7Gbps LPDDR5X。在LPDDR6方面，三星不仅参与产品开发和JEDEC标准化，还与主要SoC厂商进行了早期验证。通过此次高通平台的验证，三星计划加速为下一代旗舰智能手机应用LPDDR6的准备工作。三星电子在移动DRAM市场中仍保持领先地位。Omdia数据显示，2026年第一季度三星的全球移动DRAM市场份额按收入计算为43%。在去年第三季度为43%，第四季度为42%之后，三星继续保持在40%的市场份额。预计LPDDR6市场将从2027年开始正式扩大。Omdia预测，LPDDR6在整体LPDDR出货量中的占比将从2027年的3%提高到2028年的9%，到2029年达到21%，2030年将增至39%。LPDDR的应用领域也在不断扩大，除了智能手机外，还包括AI PC、边缘计算和汽车等。三星电子通过基于LPDDR技术的服务器模块“SOCAMM2”和LPDDR-PIM等，正在将应用范围扩展到AI数据中心。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）加快追赶步伐。随着第五代（G5）DRAM技术平台进入量产阶段，其在通用及移动DRAM市场的竞争力受到关注。尽管三星电子、SK海力士在高带宽存储器（HBM）等高附加值领域仍保持优势，但随着中国厂商持续推进技术升级和产能扩张，通用及移动DRAM市场竞争或进一步加剧。 韩国半导体业界22日消息显示，长鑫存储日前宣布第五代DRAM技术平台正式进入量产阶段，其G5 DRAM将存储阵列有源区半间距缩小至11.95纳米。 在难以获得最先进极紫外光刻（EUV）设备的情况下，长鑫存储通过四重图形化技术推进制程微缩。以8Gb芯片计算，第五代平台单片晶圆可生产的裸片数量较第四代增加50%以上。不过，制程升级能否最终转化为成本和市场竞争力，仍取决于量产良率、生产规模及制造成本。 长鑫存储同时加快拓展移动DRAM市场。此次公司还发布两款基于第五代平台生产的24Gb LPDDR5X产品。LPDDR5X主要应用于智能手机等移动设备，显示其产品布局正进一步向移动DRAM领域延伸。 韩国厂商则继续向先进制程和高附加值产品集中。三星电子和SK海力士正在扩大10纳米级第六代1c DRAM应用。由于各企业DRAM工艺代际划分标准不同，代际名称并不能完全反映技术差距。目前，韩国企业在先进制程及高端DRAM领域仍保持优势。 尤其在人工智能（AI）需求快速增长的HBM市场，中韩企业之间仍存在明显差距。三星电子和SK海力士正推进新一代HBM4量产及商业化，而长鑫存储目前在这一高端市场的布局仍相对有限。 相比高端市场，长鑫存储在通用及移动DRAM领域的扩张更受韩国业界关注。近年来，三星电子和SK海力士持续将投资重心向HBM、高容量服务器DRAM等高附加值产品倾斜。如果长鑫存储进一步扩大通用及移动DRAM产能，可能对相关市场供需和价格形成影响。 特别是随着中国智能手机和个人电脑厂商扩大国产DRAM采购，中国存储厂商在本土市场的份额可能进一步提升，韩国企业在中国通用DRAM市场面临的竞争也将随之加剧。 韩国业界还关注，DRAM市场是否会出现类似此前液晶显示（LCD）行业的竞争格局变化。随着中国企业持续扩大LCD产能，韩国显示企业逐步退出大型LCD业务，并转向OLED等高附加值领域。不过，与LCD相比，DRAM在制程微缩、良率控制和资本投入方面门槛更高，HBM和服务器DRAM等先进产品还涉及客户认证、先进封装等多个环节，因此目前尚难判断DRAM市场会复制类似路径。 业内认为，短期来看，长鑫存储与韩国厂商在高端DRAM领域仍存在差距，但随着其通用及移动DRAM产能扩大，中国本土市场的竞争可能率先加剧。未来量产良率、制造成本及大规模生产稳定性，将成为观察长鑫存储市场影响力的关键指标。

中国内存半导体领军企业创信内存科技（CXMT）宣布其第五代技术平台已进入量产阶段，声称为在全球内存市场与三星电子、SK海力士、美光科技等行业领先企业竞争提供了技术突破。 据中国媒体《澎湃新闻》和路透社报道，CXMT在9月20日于中国安徽省合肥举行的“2026世界制造业大会”上正式宣布了第五代技术平台的量产。 CXMT表示，通过这一新平台，可以以更低的成本和电力生产出更高性能的内存芯片。 具体而言，新平台将内存芯片内部的数据存储区域更加紧凑，电路间距缩小至11.95纳米。为此，CXMT采用了多次重复相同制造工艺的“四重图案化”技术，以制造更精细的电路图案。 CXMT副总裁罗晓东表示：“目前我们的工艺技术水平与业界正在量产的最先进工艺相当。” CXMT表示，随着此次微缩工艺的进展，内存集成度也大幅提升。根据CXMT的数据，第五代平台每片晶圆的芯片产量比第四代平台至少增加了50%。因此，产品的电力效率和成本竞争力也得到了改善。 CXMT还发布了基于第五代平台的两款24Gb（千兆位）LPDDR5X产品。LPDDR5X主要用于智能手机等移动设备，是一种低功耗D램。这两款产品的存储数据量比同类产品多出50%，并已开始量产，供应给中国主要智能手机厂商的旗舰产品。 CXMT期待此次量产能够为全球内存市场的供应链多元化做出贡献。 CXMT的技术进展与美国对中国半导体出口限制的背景相吻合，中国正努力降低对外国技术的依赖。自2022年以来，美国已限制中国获取先进半导体、半导体制造设备及相关软件的途径。 CXMT近期在全球D램市场的份额迅速扩大，正加速追赶三星电子和SK海力士。市场调研机构Counterpoint Research的数据显示，CXMT在全球D램市场的份额从去年第二季度的4%上升至今年第二季度的10%。 CXMT今年上半年的营收同比增长约10倍，净利润也实现了扭亏为盈。 高盛预计，CXMT到2028年将能够供应中国D램需求的约一半，并承担中国内存高带宽（HBM）需求的最大40%。

尽管全球大型科技公司提出了“AI速度调控论”，引发了对半导体超级周期峰值后下滑的担忧，但韩国半导体产业似乎并未受到影响。由于AI服务商业化带来的“推理用”数据处理激增，通用内存需求形成了坚实的支撑。 15日，业内消息称，2026年第二季度全球DRAM产业销售额较上一季度激增59.5%，达到1547.3亿美元（约合208万亿韩元）。三星电子凭借第六代高带宽内存（HBM4）的量产，市场份额达到39.4%，位居第一。HBM出口额同比增长293%。平均出口单价在短短两个月内上涨31%，达到76美元，高附加值内存的业绩强劲。 市场研究机构TrendForce预测：“AI服务器用HBM需求激增与通用DRAM价格上涨相互促进，迅速提升了DRAM产业整体销售额。” 专家们指出，近期出现的AI速度调控论并不意味着半导体实体经济的下滑。他们认为，主要AI企业面临的基础设施建设成本压力和上市前的盈利改善压力只是财务上的调整，而不是需求本身的减弱。 韩国产业研究院的研究员金洋平表示：“AI大型科技公司的速度调控论主要是为了管理在巨大模型学习过程中累积的天文成本，并重新调整盈利结构。”他指出：“将其解读为半导体产业整体需求崩溃或峰值信号，是与现场数据脱节的过度担忧。” 尽管AI投资面临警告，韩国出口的半导体芯片反而有所增加。根据产业通商资源部的数据，上个月韩国的半导体出口额达到467亿美元，创下历史新高，同比激增68.7%。原本担忧的实际内存订单减少并未出现，主要产品价格的上涨进一步推动了出口的强劲增长。 随着AI市场的重心从构建大型AI模型的“学习用”转向实际服务的“推理用”，K-半导体的产品组合也在不断多样化。全球市场研究机构德勤指出，今年实际服务中使用的推理计算占比已增至66%，几乎是学习用计算规模的两倍。随着AI进入普通用户使用的“实际服务”阶段，客户对高性能HBM以及GDDR7、LPDDR5X等通用DRAM的订单不断增加。 上明大学半导体系统工程系教授李钟焕表示：“围绕大型模型构建的过热和速度竞争可能会暂时放缓，但数亿用户在日常生活中使用AI所产生的实时推理流量已进入真正的飞跃期。”他分析：“原本集中在学习用芯片的内存需求正在向通用DRAM等市场整体扩展，这将进一步增强韩国半导体的业绩支撑。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

苹果首款折叠手机'iPhone Duo'的市场表现将对国内零部件行业下半年的业绩产生重要影响。由于从显示屏到内存、光学模块等核心供应链均被其占据，iPhone Duo的销量越高，相关企业的受益也越大。 苹果于9日（当地时间）在美国加利福尼亚州库比蒂诺的苹果公园发布了折叠智能手机iPhone Duo。决定折叠手机身份的柔性有机发光二极管（OLED）面板由三星显示全量供应，7.8英寸的内部屏幕和5.5英寸的外部屏幕面板均由其独家提供，确保了苹果首代折叠生态系统的主导权。 三星显示采用了上下面板均为超薄强化玻璃（UTG）的“双UTG”结构，大幅改善了屏幕的褶皱。其在2026年国际消费电子展（CES）上展示的无褶皱样机相比于Galaxy Z Fold 7的褶皱深度减少了约20%，证明了技术的成熟度。分析认为，自2019年以来，三星电子在Galaxy Z系列的量产中积累的折叠耐久性和量产良率成为苹果独家供应的决定性因素。 为克服超薄折叠结构的局限，LG Innotek负责相机模块的设计。LG Innotek设计了一种避开铰链部位的独特结构，采用了潜望镜形式的“折叠变焦”。通过棱镜折射光线，即使在薄型设备中也能实现高倍光学变焦和防抖性能。自2023年iPhone 15 Pro Max以来，LG Innotek凭借超精密光学技术维护了苹果的折叠变焦供应链，成功满足了严格的折叠规格。 设备内部的“大脑”和“存储器”由三星电子和SK海力士共同承担。两家公司合计供应了用于设备内AI运算和多任务处理的12GB LPDDR5X DRAM的70%。三星电子以行业最低厚度的0.65mm LPDDR5X降低了21.2%的热阻，改善了25%的功耗。SK海力士则以应用高凯金属栅（HKMG）工艺的24GB LPDDR5X封装，保持了单一封装的全球最大容量记录。两家公司还共同负责约45%的NAND闪存供应。 业界普遍认为，苹果的新产品供应链布局再次证明了国内企业凭借独特的技术实力与中国企业之间的差距。尽管中国BOE为iPhone普通型号提供部分OLED面板，但在折叠及高端旗舰产品线方面仍未能突破。中国内存企业如CXMT等也因LPDDR5X工艺的微缩差距和谈判破裂而未能进入供应链。 上明大学系统半导体工程系教授李钟焕表示：“中国企业虽然在快速提升技术水平，追赶通用部件市场，但在超高速、低功耗内存和折叠面板等尖端领域，仍暴露出量产稳定性和质量的局限。” 随着iPhone Duo在全球移动市场的期待不断升温，国内主要零部件公司的下半年业绩改善也迎来了曙光。预计三星显示因iPhone Duo的OLED出货，中小型面板部门的营业利润将同比增长15%至20%以上。LG Innotek也因高价的超薄折叠变焦相机模块供应效应，光学解决方案部门的第四季度业绩动能将得到极大提升。 一位零部件行业人士表示：“iPhone Duo作为超高价的高端产品，其部件单价（ASP）和盈利能力非常高。由于初期良率和质量可靠性得到了认可，预计下半年业绩增长将显著。”

在半导体行业中，“时间”即是竞争力。仅仅开发技术是不够的，必须在客户期望的时间内推出产品并实现量产，才能占领市场。随着人工智能（AI）时代的到来，技术变革的周期缩短，这段时间的价值愈加重要。然而，韩国半导体行业再次面临“每周52小时”工作制的争论。政府推动的特区法案中，是否包含对半导体研发人员的工作时间特例，工业通商部与就业劳动部的声音却不尽相同。工业通商部部长金正官表示：“不应强制阻碍年轻人工作的意愿”，强调了改善工作时间制度的必要性。相对而言，就业劳动部部长金英勋指出，国内半导体企业在现行制度下已取得良好业绩，认为例外适用的讨论已过于激烈。当然，工人的健康权和休息权应当得到保护，不能将长时间劳动包装为产业竞争力。然而，现在需要的不是在“是否遵守52小时”这一二元论争中反复纠缠，而是要优先考虑韩国半导体如何比竞争对手更快地开发技术并推向市场。尤其是，近期中国的追赶速度令人感到危机感。中国最大的DRAM企业长鑫科技（CXMT）已经跻身全球DRAM市场第四位，并专注于DDR5、LPDDR5X和高带宽内存（HBM）等下一代技术的获取。凭借巨额的政府支持、积极的设备投资和大规模的人力资源，中国正在迅速缩小与韩国的技术差距。这并不是说要盲目追随中国所谓的“996”长时间劳动。重要的是，竞争对手的政府、企业和人力资源正朝着一个共同目标——确保产业竞争力而加速前进。在我们围绕劳动时间的争论中，竞争对手的研发和生产设施扩张的时钟并没有停止。政府推动的特区法案最终也以速度为核心。工业通商部计划提供约300项监管特例和财政、税收支持，并同时解决许可、用电、用水和投资障碍。此外，研发人员的工作时间特例和弹性、选择性工作制的扩展也在讨论之中。这并不意味着要全面放开52小时的限制。可以通过扩大研发岗位和高收入专业人员的选择权，或灵活管理加班工作单位，同时保障充分的休息和补偿，来实现这一目标。找到既反映产业现状又兼顾劳动权利的解决方案是政府的责任。半导体行业一旦错过时机，难以用金钱弥补。技术开发如果延迟几个月，客户认证和量产进度将受到影响，而竞争对手则可能占领市场。即使投入数十万亿韩元的财政支持并建设大规模集群，如果被制度束缚，无法在关键时刻加速，效果必然会大打折扣。现在，三星电子和SK海力士正处于AI内存繁荣的中心，但这并不是可以放松的时刻。中国的追赶已经开始。我们应将争论的起点从“是否放宽52小时”转变为“在保护工人权利的同时，如何创造出全球最快的研发和开发环境”。在劳动时间的争论中，浪费半导体的黄金时刻的时间已经不多了。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子在全球知名的内存技术会议“FMS 2026”上获得了对其下一代内存技术的认可，并荣获两项大奖。根据三星电子的消息，该公司在FMS 2026期间举行的“最佳展品奖（Best of Show Awards）”中，凭借“V10 BV-闪存（NAND）”获得了3D闪存创新奖（3D & NAND Innovation Award），同时凭借“LPDDR5X-PIM”获得了下一代内存奖（Next-Gen Memory Award）。V10 BV-闪存是实现400层以上超高层结构的下一代V闪存技术。它采用了垂直粘接（Bonding Vertical）技术，将晶圆垂直连接，并通过三层堆叠结构连接V闪存单元，既提高了存储容量，又降低了功耗和发热。该技术被认为是应对人工智能时代数据存储需求激增的下一代闪存技术。与之一起获奖的LPDDR5X-PIM是全球首款将PIM（内存内处理）技术应用于低功耗DRAM LPDDR5X的产品。该结构能够在内存内部直接进行运算，最小化数据移动，从而同时提高系统性能和电力效率。特别是在人工智能加速器和高性能计算（HPC）等大规模AI运算环境中，它被视为减少瓶颈的关键内存技术。三星电子表示，通过此次获奖，再次确认了其在下一代闪存和AI内存领域的技术领导地位，并计划进一步巩固在人工智能时代的内存技术领导地位。该公司将在FMS 2026上持续展示其下一代内存路线图、AI内存解决方案和下一代存储技术，并与全球客户分享未来内存技术的愿景，活动将持续到当地时间6日。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。