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投入60万亿韩元，K-半导体面临美国补贴与关税不确定性尽管政府正在加快与美国的投资包谈判，但K-半导体的支持措施似乎在谈判桌上被排除在外。随着液化天然气和核能等能源项目被优先推进，三星电子和SK海力士在当地工厂的补贴及关税豁免谈判已陷入数月的僵局。 根据8日政府和业界的消息，产业通商资源部在向国会报告对美投资谈判进展时，已大幅排除与K-半导体支持相关的核心内容。在对美投资审议机构韩美战略投资运营委员会将能源项目列为首个项目的同时，正在进行60万亿韩元规模的国内半导体企业的补贴和关税等紧迫问题却未能上议程。 三星电子和SK海力士正在美国当地分别投资巨额资金建设泰勒代工厂和印第安纳高端封装生产基地。三星电子在德克萨斯州的投资总额已大幅增加至370亿美元（约55万亿韩元），用于建设先进的代工及研发设施。SK海力士也在印第安纳州投资38亿7000万美元（约5万2000亿韩元），建设下一代高带宽内存（HBM）高端封装工厂及研究基地。 然而，美国政府承诺的“半导体法”补贴的具体发放时间和最终规模仍然不确定。产业通商资源部部长金正官在党政协商后表示：“由于美国方面对电力基础设施的紧急需求，能源领域的谈判正在加速，但国内半导体企业的补贴发放及关税不利问题也是不可延迟的核心事项，目前正在与美国政府进行密切的幕后协调，进行最后的协商。” 与此同时，随着美国政府对补贴的怀疑和关税压力加大，企业在当地经营的不确定性达到了极点。美国总统唐纳德·特朗普最近批评现有制度是“可怕的法律”，并表示：“即使不发放补贴，也会通过高额关税迫使企业在美国建厂。” 商务部长霍华德·拉特纳克也表示：“如果在美国生产半导体，将享受关税豁免的优惠，但如果不这样做，就必须为进入世界最大市场付出代价。”他进一步加大了关税压力的力度。 问题在于，三星电子和SK海力士在当地投入的60万亿韩元规模的直接投资，是否能被视为两国达成的3500亿美元对美投资包的成果，仍然是未知数。根据今年1月两国达成的协议，3500亿美元投资包由美国政府主导的战略项目（2000亿美元）和造船合作（1500亿美元）组成，与我们企业的个别外国直接投资（FDI）在结构上是分开的。 业界人士表示：“能源领域的谈判成果固然重要，但如果国家战略性产业半导体的当地工厂补贴和关税问题没有明确解决，对美投资的实际利益将大幅减弱。”他指出：“由于美国当地生产成本急剧上升，政府在最终签署前的全力以赴和细致的最后协商显得尤为紧迫。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-09-09 04:20:00 -
SK海力士在美国印第安纳州开设首个HBM生产基地，瞄准美国本地供应链SK海力士将在美国印第安纳州建立首个HBM生产基地。该基地的核心是建立在美国进行先进封装和检测的生产体系，以提高对当地客户的响应能力，同时直接融入美国的AI半导体供应链。 SK海力士于27日（当地时间）在美国印第安纳州西拉菲特举行了AI内存先进封装生产基地的奠基仪式，并于28日宣布，总投资额超过40亿美元。工厂计划于2028年10月完成洁净室建设，并于2029年下半年开始量产下一代HBM。 印第安纳工厂将与现有的韩国生产基地分工合作。韩国生产的晶圆将被运送到美国，在当地进行先进的封装和检测。通过这种方式，工厂将建立起向当地客户供应在美国生产的HBM的结构。 这标志着SK海力士在美国直接建立HBM供应链的重大意义。在美国大型科技公司和数据中心对HBM的需求不断增加的背景下，SK海力士将能够在客户身边建立生产和研发基地。 工厂还将设有先进的封装研发和测试设施，以便客户、大学和商业伙伴共同开发下一代封装技术，并进行原型制作和性能验证。 SK海力士还将致力于扩大当地生态系统。约有100家材料、零部件和设备公司正在讨论进驻西拉菲特。工厂的建设和运营预计将直接或间接创造7000多个就业机会。 印第安纳工厂还将用于增强美国本地的研发能力。SK海力士当天与普渡大学签署了先进封装技术的联合研究协议，共同开发包括HBM在内的下一代系统集成技术和先进封装技术。 业界人士关注印第安纳工厂不仅是简单的生产设施，更可能成为连接美国客户、研究机构及材料、零部件和设备企业的枢纽。这可能成为将HBM供应链从韩国中心扩展到韩美联动结构的契机。 SK海力士计划围绕印第安纳进一步扩大与美国中西部大学和研究机构的合作，旨在同时推进当地人才的获取和技术开发，以增强HBM的竞争力。 郭诺正 SK海力士首席执行官表示：“印第安纳工厂将成为首次在美国生产HBM的基地，我们将扩大在美国的投资与合作，成为共同创造AI未来的合作伙伴。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-08-28 16:28:00
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投入60万亿韩元，K-半导体面临美国补贴与关税不确定性
尽管政府正在加快与美国的投资包谈判，但K-半导体的支持措施似乎在谈判桌上被排除在外。随着液化天然气和核能等能源项目被优先推进，三星电子和SK海力士在当地工厂的补贴及关税豁免谈判已陷入数月的僵局。 根据8日政府和业界的消息，产业通商资源部在向国会报告对美投资谈判进展时，已大幅排除与K-半导体支持相关的核心内容。在对美投资审议机构韩美战略投资运营委员会将能源项目列为首个项目的同时，正在进行60万亿韩元规模的国内半导体企业的补贴和关税等紧迫问题却未能上议程。 三星电子和SK海力士正在美国当地分别投资巨额资金建设泰勒代工厂和印第安纳高端封装生产基地。三星电子在德克萨斯州的投资总额已大幅增加至370亿美元（约55万亿韩元），用于建设先进的代工及研发设施。SK海力士也在印第安纳州投资38亿7000万美元（约5万2000亿韩元），建设下一代高带宽内存（HBM）高端封装工厂及研究基地。 然而，美国政府承诺的“半导体法”补贴的具体发放时间和最终规模仍然不确定。产业通商资源部部长金正官在党政协商后表示：“由于美国方面对电力基础设施的紧急需求，能源领域的谈判正在加速，但国内半导体企业的补贴发放及关税不利问题也是不可延迟的核心事项，目前正在与美国政府进行密切的幕后协调，进行最后的协商。” 与此同时，随着美国政府对补贴的怀疑和关税压力加大，企业在当地经营的不确定性达到了极点。美国总统唐纳德·特朗普最近批评现有制度是“可怕的法律”，并表示：“即使不发放补贴，也会通过高额关税迫使企业在美国建厂。” 商务部长霍华德·拉特纳克也表示：“如果在美国生产半导体，将享受关税豁免的优惠，但如果不这样做，就必须为进入世界最大市场付出代价。”他进一步加大了关税压力的力度。 问题在于，三星电子和SK海力士在当地投入的60万亿韩元规模的直接投资，是否能被视为两国达成的3500亿美元对美投资包的成果，仍然是未知数。根据今年1月两国达成的协议，3500亿美元投资包由美国政府主导的战略项目（2000亿美元）和造船合作（1500亿美元）组成，与我们企业的个别外国直接投资（FDI）在结构上是分开的。 业界人士表示：“能源领域的谈判成果固然重要，但如果国家战略性产业半导体的当地工厂补贴和关税问题没有明确解决，对美投资的实际利益将大幅减弱。”他指出：“由于美国当地生产成本急剧上升，政府在最终签署前的全力以赴和细致的最后协商显得尤为紧迫。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-09-09 04:20:00 -
SK海力士在美国印第安纳州开设首个HBM生产基地，瞄准美国本地供应链
SK海力士将在美国印第安纳州建立首个HBM生产基地。该基地的核心是建立在美国进行先进封装和检测的生产体系，以提高对当地客户的响应能力，同时直接融入美国的AI半导体供应链。 SK海力士于27日（当地时间）在美国印第安纳州西拉菲特举行了AI内存先进封装生产基地的奠基仪式，并于28日宣布，总投资额超过40亿美元。工厂计划于2028年10月完成洁净室建设，并于2029年下半年开始量产下一代HBM。 印第安纳工厂将与现有的韩国生产基地分工合作。韩国生产的晶圆将被运送到美国，在当地进行先进的封装和检测。通过这种方式，工厂将建立起向当地客户供应在美国生产的HBM的结构。 这标志着SK海力士在美国直接建立HBM供应链的重大意义。在美国大型科技公司和数据中心对HBM的需求不断增加的背景下，SK海力士将能够在客户身边建立生产和研发基地。 工厂还将设有先进的封装研发和测试设施，以便客户、大学和商业伙伴共同开发下一代封装技术，并进行原型制作和性能验证。 SK海力士还将致力于扩大当地生态系统。约有100家材料、零部件和设备公司正在讨论进驻西拉菲特。工厂的建设和运营预计将直接或间接创造7000多个就业机会。 印第安纳工厂还将用于增强美国本地的研发能力。SK海力士当天与普渡大学签署了先进封装技术的联合研究协议，共同开发包括HBM在内的下一代系统集成技术和先进封装技术。 业界人士关注印第安纳工厂不仅是简单的生产设施，更可能成为连接美国客户、研究机构及材料、零部件和设备企业的枢纽。这可能成为将HBM供应链从韩国中心扩展到韩美联动结构的契机。 SK海力士计划围绕印第安纳进一步扩大与美国中西部大学和研究机构的合作，旨在同时推进当地人才的获取和技术开发，以增强HBM的竞争力。 郭诺正 SK海力士首席执行官表示：“印第安纳工厂将成为首次在美国生产HBM的基地，我们将扩大在美国的投资与合作，成为共同创造AI未来的合作伙伴。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-08-28 16:28:00
