SK海力士正在与英特尔就首次在美国生产内存半导体进行洽谈。 根据16日（当地时间）路透社的报道，英特尔在俄亥俄州建设的半导体生产设施中，SK海力士可能会租赁部分设施，或与英特尔及主要云计算企业成立合资公司等方案正在讨论中。 不过，洽谈仍处于初期阶段，尚未做出具体决定，SK海力士也在考虑其他形式的合作方案。 SK海力士与英特尔的合作讨论是在人工智能（AI）和数据中心投资激增的背景下进行的，此时内存半导体的供应短缺问题愈发严重。由于美国政府对半导体企业施加了在美国扩大生产的压力，如果最终达成合同，将对推动美国半导体生产扩大的特朗普政府来说也是一项成果。 然而，韩国政府的审查被视为变数。特别是在韩国，如果涉及高带宽内存（HBM）或DRAM等国家核心技术转移至美国或在当地生产，则需接受《产业技术保护法》的审查。消息人士表示，韩国政府反对的可能性也不能排除。 SK海力士在回应路透社时表示：“为了增强内存业务的竞争力，我们正在考虑包括建立额外生产基地在内的多种方案”，同时强调“目前尚未做出决定”。 尽管如此，由于人工成本和建设成本较高，加之半导体供应链大部分集中在亚洲，美国的生产成本也可能上升。尽管如此，SK海力士考虑在美国生产的背景是客户和各国政府对扩大生产的压力。 SK集团会长崔泰源在7月曾表示，客户和各国政府对提供更多半导体的压力和游说“非常巨大”，并认为“应该在美国建厂，如果可能的话，建厂是好的选择”。 目前，SK海力士在美国推进的半导体相关投资仅有在印第安纳州建设的约40亿美元（约54714亿韩元）规模的AI半导体封装工厂。这将是首次在美国建设半导体全流程生产设施。 问题在于同时满足美国和韩国两国的要求并不容易。美国商务部长霍华德·鲁特尼克曾施压称，如果韩国和台湾的半导体企业不扩大在美国的生产，可能会征收最高100%的关税。另一方面，韩国政府则要求SK海力士和三星电子加快在国内建立半导体生产设施集群的步伐。 路透社指出，韩国政府希望在对美投资谈判中将SK海力士的美国投资作为杠杆，而美国政府则对SK海力士施加快速扩大美国生产的压力，使得该公司面临困境。

针对将半导体和人工智能(AI)等国家机密转交给外国的行为，修订后的刑法于13日正式实施。此次修法的核心在于将原本针对“敌国”的处罚范围扩大至所有外国。然而，由于技术泄露大多由内部人员造成，且国家核心技术和外国企业未被纳入条款，因此在防止产业技术泄露方面仍显不足。 根据法律界和产业界的消息，今天实施的修订刑法新设了第98条之2“为外国等进行间谍活动”。如果接受外国或类似组织的指令、教唆，或在其指示下探测、收集、泄露、传递、转介国家机密，将处以三年以上有期徒刑。这是自1953年刑法制定以来，间谍罪适用范围时隔73年首次扩大。 此前，涉及核心技术外泄的事件主要适用《产业技术保护法》或《反不正当竞争法》。根据去年警方查获的179起技术泄露案件，其中海外泄露33起，中国占18起（54.5%），涉及领域包括半导体5起、显示器4起和电池3起。警方将技术泄露视为威胁国家经济安全的犯罪，并计划加强调查。 调查显示，泄露渠道大多来自企业内部。去年查获的179起案件中，内部人员涉及的案件高达148起，占82.7%。受害企业中，中小企业占155起（86.6%），占绝对多数。还有无证职业介绍所被查出将国内半导体核心人才转移至中国企业，并收取数百万的佣金。 法律实施并不意味着间谍罪会立即适用于产业技术泄露。法律界指出，泄露的信息必须符合刑法上的国家机密，并且需要满足外国方面的指令、教唆和联系等条件。此外，产业技术保护法中的国家核心技术并不自动成为国家机密。关于外国私营企业是否属于现行条款中的“外国或类似组织”，在调查和审判过程中可能会有不同的解释。 在法律实施前，已经有修订草案被提出。三星电子前总裁高东镇的国民力量党议员上个月提出了将外国企业和国家核心技术纳入间谍罪适用范围，并将刑期从现行的三年以上提高至十年以上的刑法修订案。该法案已于本月1日提交至国会法制司法委员会。 专家指出，事后惩罚的方式难以弥补已造成的损失，呼吁将技术泄露的应对重点从事后惩罚转向尽早阻止泄露技术的使用和扩散。业界一位人士表示：“在技术被盗取后仅提高惩罚力度已经太晚，及时发现海外企业的高额挖角和离职人员接触，扩大中小合作企业的安全网络才更为重要。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

去年，产业技术保护法的修订加强了对国家核心技术外泄的处罚力度，但仍被认为不足以阻止半导体、显示器等高科技产业的核心技术外泄。随着人工智能（AI）半导体竞争的加剧，技术外泄问题不仅关系到企业竞争力，也直接影响国家安全，因此需要提高处罚力度或扩大间谍罪的适用范围，进行法律制度的完善。根据国会议员信息系统的数据显示，自去年7月产业技术保护法修订案实施以来，已有两项加强技术外泄犯罪处罚力度的修订法案被提案。今年2月，民主党议员金元提案的修订案，内容涉及对国家核心技术及产业技术外泄、侵害犯罪的监禁和罚款均进行上调，旨在考虑技术外泄犯罪的社会影响，进一步提高处罚强度。今年6月，民主党议员金南根提案了一项提高惩罚性赔偿制度有效性的修订案。若确认技术外泄，将原则上将赔偿金额定为实际损失的5倍，而不是最多5倍，以提高对企业损失的实际救济和预防效果。这反映出仅靠现行法定刑难以阻止日益增长的高科技外泄问题。目前，修订案将技术外泄罚款上限提高至原来的10倍，即65亿韩元，但实际平均刑期较低，未能体现法案的初衷。在一个高科技的单项技术可能影响数十万亿韩元产业竞争力的情况下，仅以数年的实刑难以阻止日益增加的技术外泄诱因。根据韩国经营者总协会的数据，国内核心技术海外外泄的查处案件从2021年的9起激增至2025年的33起。自2020年以来，由此造成的国家经济损失估计已达23万亿韩元。尤其是中国内存企业积极引进三星、SK海力士等韩国人才，迅速缩小技术差距，令产业界的危机感加剧。最近，中国版纳斯达克“科创板”上市后，成为中国市值第一的长鑫存储（CXMT）便是一个典型例子。CXMT已知引进了三星电子的核心技术人才，并在开发过程中获取了SK海力士的技术。舆论也倾向于加强处罚。最近，经营者总协会进行的技术外泄认知调查显示，90.7%的受访者认为应加重对海外外泄核心技术的犯罪处罚。此外，92.5%的受访者认为核心技术外泄对我国经济的负面影响“严重”。还有观点指出，韩国在主要技术拥有国中，技术外泄犯罪的处罚水平相对较低。与海外相比，处罚强度差异显著。今年4月，韩国法院对一名因向中国CXMT外泄半导体核心技术而被起诉的三星电子前员工判处6年4个月监禁。而在台湾，因将TSMC的商业秘密和核心图纸外泄的案件，最高可判处10年监禁。仅靠产业技术保护法的修订是有限的，因此需要建立将国家核心技术外泄视为经济安全层面犯罪的单独法律体系。尤其是针对与国家安全直接相关的高科技外泄，需扩大间谍罪的适用范围，或新设经济安全犯罪的相关法律，以进行更强有力的制度性补充。韩国经营者总协会的理事哈尚宇表示：“多数国民将核心技术海外外泄视为不仅是企业层面的问题，而是威胁国家竞争力和经济安全的事项，因此应迅速进行制度性补充。”他强调，“需要引入针对核心技术海外外泄的强有力的处罚法律，以应对经济安全层面的挑战。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国创信内存科技（CXMT）已成为全球DRAM市场的第四大企业，市场份额约为8%。该公司在2023年第一季度的收入较去年增长了719%。2025年，创信内存科技实现了自成立以来的首次盈利，目前正计划通过在上海证券市场上市筹集数百亿资金。公司表示，已开始量产服务器用的DDR5和移动设备用的LPDDR5X，同时以市场价的一半出售旧款DDR4。几年前，该公司还被称为“差距五年”。半导体行业是一个难以追赶的领域，因为微细工艺的成功往往依赖于失败的经验积累。要掌握在哪个步骤上出现缺陷、在什么条件下良率曲线下滑，必须经过数千次的试验和错误。虽然可以购买设备，但无法购买操作这些设备的条件。韩国内存产业在过去30年中所建立的进入壁垒，正是这种时间的积累。因此，当后发企业的进度突然加快时，技术泄露往往被视为根本原因。当然，不能仅仅将中国的追赶归因于一次泄露。国家补贴、庞大的内需市场以及能够承受亏损的资本共同作用。然而，如果学习曲线异常缩短，自然会让人怀疑是否有人提供了跳过这一曲线的资料。实际上，这种事件屡见不鲜。曾因涉嫌将三星电子18纳米DRAM工艺信息泄露给CXMT而被判处6年4个月监禁和200万元罚款的前高管，最近在重审中被判刑。另一名曾在SK海力士工作并转至华为子公司的前员工，因涉嫌打印工艺资料而在上诉中被判处5年监禁和30万元罚款。业界普遍认为，5至6年的刑期无法有效遏制诱因。中国企业向核心人才提供数倍于现有薪水的待遇。完成合同后，即使在国内工作20年也难以获得的资产将留给他们。即使被韩国法律制裁，他们也可能会计算出服刑后仍能获利的可能性。值得注意的是，以上两起案件都因《产业技术保护法》和《反不正当竞争法》的修订而使得一审的刑罚加重。对罪行的界定标准也不够明确。虽然根据泄露文件的数量、资料的市场价值以及泄露者所获得的报酬来计算损失，但真正重要的并不是文件的数量，而是缩小技术差距所需的时间。产业技术泄露并不是个人因背叛公司而引发的离职争议，而是国家花费数十年时间、税收和人力积累的资产被转移到竞争国，个人从中获利的行为。因此，惩罚机制也应与此性质相符。在量刑标准中，应将国家核心技术的海外泄露作为独立的加重因素，并将损失计算标准从泄露者所获得的报酬转移到重新获取技术所需的时间和成本上。只有真正执行犯罪收益的没收和追缴，才能避免“服刑后仍有利可图”的计算。对中介人和介绍组织的单独惩罚，以及对通过海外法人和合作伙伴进行的间接泄露的监控也应同步进行。技术泄露的代价是致命的。已有评估认为，通用DRAM市场的份额已相当大程度上被让出。在中国企业以半价出售DDR4并进入DDR5量产阶段的市场中，韩国企业不得不面临市场份额下降的局面。剩下的防线是高带宽内存（HBM）及其后的先进AI半导体。即使是CXMT也承认在HBM领域与韩国企业存在2至4年的差距。这种差距可能会因几份资料而消失。HBM技术涉及DRAM核心、基底芯片、堆叠和封装、热设计等多个方面。虽然可以推测出各个工艺，但同时掌握这些条件只能通过经验获得。目前正处于向定制HBM和先进封装过渡的阶段，正是泄露最为脆弱的时刻。已经泄露的技术无法通过任何判决恢复。半导体的超越差距在于如何快速生产，而不是如何保持现有的2至4年优势。

九成国民认为应建立经济安全层面的法律体系，严惩半导体等核心技术的海外外泄。 韩国经营者总协会（经总）于19日针对全国1000名19岁以上的民众进行的“核心技术海外外泄应对公众认知调查”显示，92.5%的受访者认为核心技术的海外外泄对我国经济的负面影响“严重”。 其中，认为“非常严重”（9~10分）的占62.6%，认为“严重”（6~8分）的占29.9%，认为“普通以下”（0~5分）的占7.5%。平均得分为10分满分的8.6分。 91.4%的受访者表示“应像美国和中国一样，建立经济安全层面的法律体系来应对”。认为现行方式足够的仅占7.8%。 这表明，除了现行针对技术保护和培育目的而制定的个别法律外，社会对核心技术海外外泄犯罪应有更有效的惩罚法律的需求。 关于核心技术海外外泄的惩罚程度，90.7%的受访者认为“应进一步加强惩罚”。认为维持现状的占5.3%，认为应放宽的仅占3.2%。 特别是认为对经济的负面影响“非常严重”的受访者中，有97%要求加强惩罚。经总表示，越是意识到严重性，越是要求加强惩罚。 对于犯罪所获利益应大于罚款和没收额的经济不利影响，90.6%的受访者表示支持。反对者因担心过度或双重惩罚的仅占5.0%，表示不清楚的占4.4%。 受访者认为核心技术海外外泄最令人担忧的损失依次为：“与追赶国家的技术差距缩小导致国家竞争力下降”（53.0%）、“国家安全和供应链稳定性受到威胁”（19.5%）、“全球市场份额下降导致销售减少”（16.4%）、“核心产业衰退导致就业减少和税收受损”（10.0%）。 经总指出，国内核心技术海外外泄的查处案件从2021年的9件激增至2025年的33件。自2020年以来，由此造成的国家经济损失估算已达23万亿韩元。 特别是韩国的高科技产业占比较高，核心技术的海外外泄对国家竞争力的冲击更为显著。国际复兴开发银行发布的2024年数据显示，韩国制造业出口中高技术制造业出口额占比为36.3%，是G7平均水平（20.2%）的1.8倍，超过英国（29.7%）、美国（24.3%）、法国（23.1%）等国。 实际上，三星电子、现代汽车、汉华海洋等主要企业因核心技术外泄造成的国家经济损失已达数十万亿韩元。三星电子的18纳米DRAM工艺技术是投入了1.6万亿韩元的国家核心技术，但在2016年被泄露至中国长鑫存储，导致中国对韩国半导体技术的追赶得以实现。现代汽车的氢燃料电池核心技术也因前员工泄露至中国汽车公司而遭受重大损失。汉华海洋则因前员工将核心潜艇设计图泄露至台湾，造成难以估算的损失。 尽管遭受如此损失，经济界指出惩罚仍然微弱。美国和中国等国的核心技术外泄惩罚法律侧重于抑制技术外泄，而韩国则更注重技术保护和培育。 以美国的“经济间谍法”为例，外泄有利于外国的技术被认定为经济间谍行为，受到严厉惩罚；中国的“反间谍法”也将涉及国家安全的技术外泄者视为间谍行为。实际上，美国因航空发动机技术外泄判处20年监禁，而中国则在一起科学研究机构工程师向外国情报机构出售国家机密的案件中判处死刑。相比之下，韩国的“产业技术保护法”等法律则更侧重于产业保护，因此核心技术外泄的最高刑期仅为6年4个月。 经总理事哈相宇表示：“多数国民将核心技术的海外外泄视为不仅仅是企业层面的问题，而是威胁国家竞争力和经济安全的事务。”他强调：“以先进制造业为基础的出口导向型韩国经济，核心技术外泄的负面影响必然大于其他国家，因此需要引入强有力的惩罚法律等经济安全层面的应对措施。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。