中国成功实现了半导体工艺核心设备——深紫外（DUV）光刻机的国产化。继前一天中国最大DRAM厂商CXMT（长鑫科技）成功上市后，中国半导体行业的好消息接连而至。这一成就对韩国半导体企业的股价造成了重大冲击，28日，三星电子股价下跌了13.4%，SK海力士则下跌了14.7%。 中国的半导体设备企业开始生产自主研发的浸没式DUV设备，预计今年将生产5台并交付给客户。美国IT专业媒体《信息时报》在28日报道称，生产的设备将供应给中芯国际、华虹半导体、长鑫科技等中国主要半导体企业。这是中国企业首次制造浸没式DUV设备。《信息时报》还指出，预计明年将交付20台设备。美国制裁7年后DUV国产化成果显现自2019年起，美国禁止向中国出口最先进的极紫外（EUV）光刻机，并从2023年开始禁止向中国出口浸没式DUV设备。中国自2019年起便致力于光刻机的国产化，经过7年的努力，终于实现了DUV的国产化。 浸没式DUV设备能够通过一次曝光工艺（图案化）制造28纳米（nm）工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多图案化工艺，则可以覆盖到7纳米工艺。然而，多图案化工艺的良品率较低，制造成本较高。 浸没式DUV设备由荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出。中国制造的设备预计与ASML2008年版本的浸没式DUV性能相似。根据计算，ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。EUV设备预计2030年将见成效尽管中国在7年内实现DUV国产化被认为是相当大的成就，但这标志着中国28纳米半导体工艺的国产化已完成。此外，预计中国将以此为基础，加快EUV光刻机的开发。 中国政府将2026年至2030年第十五个五年计划的核心目标设定为“技术自立”，其中最重要的任务无疑是EUV光刻机的开发。虽然中国政府并未具体提及开发时间，但当地半导体行业普遍认为，2030年开始EUV设备的开发成果将会显现。华为关联公司被指为DUV开发企业中国DUV设备制造商的名称尚未公开，但在中国业内普遍推测华为的关联公司宇量昇可能是该企业。去年9月，《金融时报》曾报道中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV，初步测试结果显示出积极的指标。 宇量昇50%的股份由上海市政府下属的风险投资公司持有，剩余50%则由中国半导体设备公司新凯来持有。新凯来的100%股份由深圳市政府下属的风险投资公司持有。由于新凯来的核心团队成员是华为的精密设备开发团队，因此中国业内普遍将新凯来视为华为的关联公司。新凯来正在开发EUV设备，但是否与宇量昇共同开发尚未公开。新凯来的EUV开发项目名称为“珠穆朗玛”。CXMT在HBM领域的追赶也在加速与此同时，27日上市的中国DRAM厂商CXMT在首日股价暴涨476%，成为中国股市市值最高的企业。CXMT通过此次上市预计将筹集最高666万亿人民币，且CXMT今年上半年的净利润预计为570亿人民币，因此CXMT将获得总计1236亿人民币的现金。这相当于约27万亿韩元，其中大部分预计将投资于AI用DRAM和HBM。CXMT被认为已经握住了追赶三星电子和SK海力士的机会。 目前，CXMT与SK海力士之间的技术差距约为4年。中国证券公司的分析师认为，凭借巨额的投资资金，加上中国政府的支持和中国AI企业的爆发性需求，CXMT的技术将会迅速提升。尤其是未来CXMT与SK海力士之间的技术差距可能缩小至2年。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国成功实现了半导体制造关键设备——深紫外(DUV)光刻机的国产化。继中国最大DRAM制造商CXMT（长鑫科技）成功上市后，中国半导体行业的好消息不断传来。这一成就对韩国半导体企业的股价产生了重大负面影响，28日，三星电子股价下跌了13.4%，SK海力士下跌了14.7%。 据美国IT专业媒体《信息时报》28日报道，中国半导体设备企业已开始生产自主研发的浸没式DUV设备，并计划今年交付5台给客户。报道指出，这些设备将供应给中芯国际、华虹半导体、CXMT等中国主要半导体企业。这是中国企业首次制造浸没式DUV设备。《信息时报》还表示，预计明年将交付20台。 美国制裁七年后DUV国产化成果显现 自2019年起，美国禁止向中国出口最先进的极紫外(EUV)光刻机，并从2023年起也禁止向中国出口浸没式DUV设备。中国自2019年起便致力于光刻机的国产化，经过七年努力，终于实现了DUV的国产化。 浸没式DUV光刻机能够通过一次曝光制造28纳米工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多重图案化工艺，则可以覆盖到7纳米工艺。然而，多重图案化工艺的良率较低，制造成本较高。 浸没式DUV光刻机由荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出。中国企业制造的设备预计与ASML2008年的版本性能相似。根据计算，ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。 EUV设备预计2030年将见成效 尽管中国在七年内实现DUV国产化被认为是相当大的成就，但这标志着中国在28纳米半导体工艺国产化方面的成功。此外，预计中国将以此为基础，加速EUV光刻机的开发。 中国政府将2026-2030年五年规划的核心目标设定为“技术自立”，其中最重要的任务无疑是EUV光刻机的开发。虽然中国政府并未具体提及开发时间，但当地半导体行业普遍预计，2030年将开始看到EUV设备开发的成果。 华为关联公司被指为DUV开发企业 中国DUV设备制造商的名称尚未公开，但在中国业内普遍推测，华为关联公司宇量昇可能是该企业。去年9月，《金融时报》曾报道，中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV，初步测试结果显示出积极的指标。 宇量昇50%的股份由上海市政府旗下的风险投资公司持有，其余50%由中国半导体设备公司新凯来持有。新凯来的主要团队成员为华为精密设备开发团队的成员，因此业内普遍将新凯来视为华为的关联公司。新凯来正在开发EUV设备，但是否与宇量昇共同开发尚未公开。新凯来的EUV开发项目名为“珠穆朗玛”。 CXMT在HBM领域的追赶也在加速 另一方面，27日上市的中国DRAM企业CXMT在首日股价暴涨476%，成为中国股市市值第一的公司。CXMT通过此次上市预计筹集最多666亿人民币，且CXMT今年上半年的净利润预计为570亿人民币，因此CXMT将获得总计1236亿人民币的现金，这相当于约27万亿韩元，其中大部分预计将投资于AI用DRAM和HBM。CXMT被认为在追赶三星电子和SK海力士方面获得了重要的资金支持。 目前，CXMT与SK海力士的技术差距约为4年。中国证券公司分析师认为，凭借巨额投资资金的获得，加上中国政府的支持和中国AI企业的爆发性需求，CXMT的技术有望实现飞跃性发展。尤其是未来CXMT与SK海力士的技术差距可能缩小至2年。

中国在半导体工艺核心设备——深紫外（DUV）光刻机的国产化方面取得了成功。继27日中国最大DRAM厂商CXMT成功上市后，中国半导体行业迎来了更多利好消息。 据美国IT专业媒体《信息》28日报道，中国的一家公司已开始生产自主开发的浸没式DUV设备，并计划今年交付5台给客户。报道指出，今年的生产设备将供应给中芯国际、华虹半导体、CXMT等中国主要半导体企业。这是中国首次制造浸没式DUV设备。《信息》还表示，预计明年将交付20台。 自2019年以来，美国已禁止向中国出口最先进的极紫外（EUV）光刻机，并从2023年起禁止向中国出口浸没式DUV设备。 浸没式DUV能够通过一次曝光（图案化）生产28纳米（nm）工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多重图案化工序，则可以覆盖到7纳米工艺。然而，多重图案化的良品率较低，制造成本较高。 浸没式DUV是荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出的设备。中国制造的设备预计与ASML2008年版本的浸没式DUV性能相似。根据计算，ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。 然而，中国实现DUV国产化被认为是一个重要成就。这标志着中国在28纳米半导体工艺的国产化方面已基本完成。此外，预计中国将在此基础上加快EUV光刻机的开发。 中国DUV设备制造商的名称尚未公开，但业内普遍推测与华为关联的宇量昇可能是该公司。去年9月，《金融时报》曾报道中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV。 宇量昇50%的股份由上海市政府下属的风险投资公司持有，其余50%由中国半导体设备公司赛凯瑞持有。赛凯瑞的100%股份由深圳市政府下属的风险投资公司持有。由于赛凯瑞的核心团队成员来自华为的精密设备开发团队，因此业内普遍将赛凯瑞视为华为的关联公司。 与此同时，27日上市的中国DRAM公司CXMT在首日股价暴涨476%，成为中国股市市值最高的企业。中国证券行业和媒体普遍认为CXMT的上市是中国半导体产业的标志性事件。这不仅是单一企业的首次公开募股，更是投资者对中国半导体产业发展、中国AI供应链国产化和高科技自给自足的积极期待的体现。